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| Vishay SiR476DP TrenchFET Gen III功率MOSFE |
| 授權類型： | 共享軟件 |
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| 運行環(huán)境： | |
| 軟件大�。� | KB |
| 推薦等級： |  |
| 下載次數(shù)： | 789 |
| 發(fā) 布 人： | ----- |
| 發(fā)布日期： | 2008年10月23日 8時42分 |
| 軟件主頁： | http://www.vishay.com |
| 下載權限： | 產(chǎn)通幣：0 產(chǎn)通幣       |
| 下載地址： | 
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| 軟件備注： | Vishay SiR476DP在4.5V柵極驅(qū)動時最大導通電阻為2.1mΩ，在10V柵極驅(qū)動時最大導通電阻為1.7mΩ。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應用中針對MOSFET的關鍵優(yōu)值 (FOM)，在4.5V時為89.25nC。
與為實現(xiàn)低導通損失及低開關損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5V及10V時導通電阻分別低32%與15%，F(xiàn)OM低42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導損失及開關損失。 |
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