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| Vishay SiR850DP TrenchFET Gen III功率MOSFE |
| 授權(quán)類(lèi)型： | 共享軟件 |
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| 運(yùn)行環(huán)境： | |
| 軟件大�。� | KB |
| 推薦等級(jí)： |  |
| 下載次數(shù)： | 725 |
| 發(fā) 布 人： | ----- |
| 發(fā)布日期： | 2008年10月23日 8時(shí)46分 |
| 軟件主頁(yè)： | http://www.vishay.com |
| 下載權(quán)限： | 產(chǎn)通幣：0 產(chǎn)通幣       |
| 下載地址： | 
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| 軟件備注： | Vishay新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET器件在4.5V時(shí)提供了4.2mΩ與9mΩ的導(dǎo)通電阻，在10V時(shí)為3.2mΩ及7mΩ，典型柵極電荷為20nC及8.4nC。新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝類(lèi)型。這些器件無(wú)鉛(Pb)，無(wú)鹵素，并且符合RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。 |
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