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等級(jí)： 論壇游俠
貼子：352
PR：917
產(chǎn)通幣：0
注冊(cè)：2012/9/21 |
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| 第 1 樓 |
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 中科院半導(dǎo)體所集成技術(shù)中心對(duì)外加工項(xiàng)目表 |
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, ISCAS）官網(wǎng)消息，其通過(guò)成果轉(zhuǎn)化、引入投資、建立高技術(shù)合資企業(yè)等方式，形成了與高技術(shù)產(chǎn)業(yè)結(jié)合的鏈路。創(chuàng)建12個(gè)高技術(shù)合資公司，總注冊(cè)資本9.49億元，其中研究所獲得了近1.2億元的股權(quán)。參股公司有蘇州中科半導(dǎo)體集成技術(shù)研發(fā)中心有限公司，揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司，江蘇中科四象激光科技有限公司，江蘇中科大港激光科技有限公司、河南仕佳光子科技有限公司，中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司等。
研究所高度重視成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化工作，與北京、天津、江蘇、廣東、河南、河北等地方政府和企業(yè)共建了二十多個(gè)聯(lián)合研發(fā)平臺(tái)，積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展服務(wù)。近五年以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)32項(xiàng)，技術(shù)開(kāi)發(fā)合同152項(xiàng)，技術(shù)合同及轉(zhuǎn)讓收入3.9億元。
序號(hào) 工藝（設(shè)備）名稱 描述（工藝能力）
1 電子束曝光 納米級(jí)圖形光刻；分辨率2nm；最小線寬50nm；拼接精度20nm
2 紫外光刻 具備勻膠、曝光、顯影、烘烤、去膠等全套光刻工藝手段；可以雙面曝光；可刻各種規(guī)則和不規(guī)則的基片，最大基片尺寸6"，分辨率0.5μm；最小線寬1μm
3 勻膠（SUSS） 可以對(duì)規(guī)則和不規(guī)則的基片涂膠并保證較厚均勻沒(méi)有厚膠邊；最大基片直徑6英寸，轉(zhuǎn)數(shù)1000-5000rpm
4 等離子去膠 使用氧等離子體對(duì)光刻后殘膠進(jìn)行去除，也可對(duì)其他無(wú)污染有機(jī)物進(jìn)行刻蝕或表面處理；
工作頻率：2.45GHz；
最大功率：1000W；
最長(zhǎng)工藝時(shí)間：9999秒
5 直寫(xiě)式光刻 光刻版制備，曝光面積：5×5英寸，最小圖形尺寸2um以上
6 SiO2、SiN刻蝕
刻蝕速率：＞250nm/min；
選擇比：光刻膠＞4:1；多晶硅＞15:1；
均勻性和重復(fù)性：＜±5%；
側(cè)壁與底面夾角：＞88°
7 SiC刻蝕
刻蝕速率：＞200nm/min；
選擇比：Ni＞30:1；
側(cè)壁與底面夾角：＞80°
8 深硅刻蝕(ICP)
最大刻蝕深度大于600微米；刻蝕均勻性±<2.5%；常規(guī)多步硅刻蝕速率為5 到10 μm/min，最高可達(dá)18μm/min； 硅/二氧化硅刻蝕選擇比：>150:1，硅/光刻膠刻蝕選擇比：>50:1，側(cè)壁與底面夾角：90°±1°
9 金屬干法刻蝕 可以進(jìn)行Al、Ni、Cr、Cu等多種金屬刻蝕
10 Ⅲ-Ⅴ族ICP
刻蝕GaN、GaAs、InP等多種化合物及多元化合物；
二氧化硅掩膜刻蝕選擇比：4:1~10:1；
側(cè)壁與底面夾角：>85°
11 熱氧化
在硅片上高溫氧化形成SiO2薄膜；可以采用干氧、濕氧或干濕氧結(jié)合的方式；質(zhì)量?jī)?yōu)異，厚度均勻，無(wú)針孔和空隙
12 LPCVD多晶硅
低壓化學(xué)汽相沉積多晶硅膜，可以進(jìn)行B、P摻雜
13 LPCVD SiN
低壓化學(xué)汽相沉積氮化硅膜；片與片間厚度均勻性：<3%；片內(nèi)折射率均勻性：<0.03%
14 離子束濺射鍍膜
制備光學(xué)介質(zhì)膜，成膜質(zhì)量高，粘附性好，有SiO2、Ta2O5、Al2O3、TiO2、ZrO2等多種靶材；
膜厚精確度：﹤±1.5%；中心波長(zhǎng)膜厚度均勻性：3英寸范圍內(nèi)﹤±0.5%；增透膜：對(duì)關(guān)鍵激光波長(zhǎng)，如633nm、1300nm等；反射率﹤0.25%；低損耗：﹤100ppm；
備有專業(yè)的光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)軟件
15 非摻雜PECVD(STS設(shè)備)
可沉積SiO2厚度：十幾納米~十幾微米；
可以淀積低應(yīng)力SiN和SiON等介質(zhì)膜；
淀積速率：> 150nm / min (SiO2)；>100nm/min (SiN)；
均勻性和重復(fù)性：<±5%
16 非摻雜PECVD(AXIC設(shè)備)
沉積SiO2薄膜
17 摻雜PECVD
可以淀積摻Ge SiO2、BSG、PSG和BPSG；
結(jié)合退火后，淀積厚度超過(guò)20um
18 電子束蒸發(fā)(Innotec)
一次可蒸鍍12片4英寸片或42片2英寸片；可蒸金屬：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt等
19 電子束蒸發(fā)(Denton)
每一次工藝可以蒸發(fā)四種不同金屬材料；Lift-off工藝一次可以蒸鍍18片2"圓片；Step-coverage工藝一次可以蒸鍍36片2"圓片；工藝的均勻性和重復(fù)性±5％；
20 電子束蒸發(fā)(沈科儀)
一次可蒸鍍22片4"片；
可蒸金屬：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt
21-22
磁控濺射-丹頓設(shè)備
主要用于常規(guī)金屬的濺射沉積。目前靶材有Ti、Pt、Au、Al、Co、Ni、Fe、Ni80Fe20、Cu、W、TiN、Ta、Cr、WTi。
片內(nèi)及片間均勻性小于5%
磁控濺射-阿爾卡特
基片清洗
各種有機(jī)清洗，硫酸+雙氧水，C處理等
23 KOH腐蝕 濕法腐蝕Si
24 TMAH腐蝕 濕法腐蝕Si
25 無(wú)機(jī)酸腐蝕 多種材料腐蝕
26 Lift-off剝離 金屬蒸發(fā)剝離
27 離子注入
1) 可注入4"及以下尺寸的基片；
2) 雜質(zhì)元素：硼、磷、砷；
3) 離子束能量：33keV–130 keV；
4) 4"片注入片間均勻性優(yōu)于±0.5%；
5) 配有離子注入工藝仿真軟件，可較快實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
28 高能離子注入 可注入60多種元素，多傾角，襯底尺寸：4"及以下，加熱溫度：500oC及以下，注入能量：15keV–600keV
29 快速退火(燈) 低于1100℃，N2保護(hù)
30 普通退火 爐管式較長(zhǎng)時(shí)間退火；最高溫度1050℃。
31 兆聲清洗 基片清洗和預(yù)鍵合
工作頻率：2.45GHz；
清洗基片尺寸：2"和4"；
最長(zhǎng)清洗時(shí)間：999秒
32 Wafer鍵合
具備陽(yáng)極鍵合功能；
硅片厚度：0.10~4.0mm；
最大電壓：2000V；最大電流：10mA；壓力范圍：0-5000mbar；最高溫度：500℃；溫度均勻性：±5K
33 砂輪劃片
范圍：硅片，玻璃片；
不大于4"圓片；
劃切硅片的刀痕50um，玻璃及陶瓷片的劃痕250um；
34 光纖陣列耦合
光纖參數(shù)：SM-9/125緊套光纖、光纖前端為磨錐透鏡光纖，夾角=35º，r=7-8μm；調(diào)節(jié)精度：最小步長(zhǎng)=0.05μm 6維調(diào)節(jié)（距離較近時(shí)2維調(diào)節(jié)）
35 耦合、測(cè)試
測(cè)試波長(zhǎng)范圍：1510-1640nm；最小步長(zhǎng)=1.0pm
粘片及壓焊
金絲壓焊，
溫度：室溫~100℃；
金絲直徑：25um；
焊點(diǎn)面積：100um×100um；
焊點(diǎn)最小間距：60um；
兩個(gè)焊點(diǎn)最大距離：1cm；
樣片最大尺寸：直徑100mm
37 倒裝焊
加熱溫度：最高400℃；
加熱區(qū)尺寸：4×4cm2；
管芯最大尺寸：1mm2
38 聚焦離子束(FIB)
分辨率：6 nm；
沉積材料：W；
放大倍率：700-90,000倍；
樣品尺寸：最大4"
39 掃描電鏡(SEM)
主要用于研究各種樣品的細(xì)微結(jié)構(gòu)、表面形貌、成分分析，等。
加速電壓:200V-30kV；
放大倍數(shù):最大1,000,000×；
最高分辨率：1nm
40 臺(tái)階儀
進(jìn)行臺(tái)面高度測(cè)量
Z方向測(cè)量高度：1mm；
Z方向分辨率：0.1nm；
X、Y行程：150mm；
具備測(cè)量薄膜應(yīng)力功能
41 橢偏儀
光譜型，具有自動(dòng)多點(diǎn)面掃描功能；
光譜范圍：195nm~1680nm；
入射角：45到90連續(xù)自動(dòng)可變；
基片面積：150×150mm2
42 棱鏡耦合儀
測(cè)量厚度1微米以上的介質(zhì)膜。
光源波長(zhǎng)：632.8nm；
厚度準(zhǔn)確度：1nm；
折射率準(zhǔn)確度：0.0001
43 分光光度計(jì)
全波長(zhǎng)：175——3300nm
最小樣片尺寸：20×20mm2
44 四探針測(cè)試
測(cè)量范圍：電阻率：10-4－105Ω.cm 電導(dǎo)率：10-5－104 s/cm 方塊電阻：10-3－106Ω/□
45 太陽(yáng)電池測(cè)試
AM1.5 進(jìn)口標(biāo)準(zhǔn)光源，可進(jìn)行太陽(yáng)電池IV/PV及量子效率測(cè)試，
光束尺寸：4"×4"；
光束均勻性：±5%
46 半導(dǎo)體測(cè)試儀
半導(dǎo)體器件IV測(cè)試，三組獨(dú)立測(cè)量源，可以測(cè)量?jī)啥�、三端和四端器件；該系統(tǒng)還配有脈沖信號(hào)源，可對(duì)存儲(chǔ)器、探測(cè)器等進(jìn)行測(cè)試。
47 低溫探針臺(tái)
可在4K至室溫下測(cè)試器件的I-V/C-V等特性。
48 三維立體顯微鏡
放大倍率：108~17280；
平面重復(fù)性：100x: 3 sn-1=0.02μm；
Z方向顯示分辨率：1nm
49 原子力顯微鏡(AFM)
150×150mm可觀測(cè)范圍，可編程的多點(diǎn)測(cè)試；
連續(xù)掃面最大面積：100×100μm；
高度最大起伏：11μm；
接觸模式、敲擊模式等多種功能模式可選用；
平面內(nèi)精度優(yōu)于0.5nm，高度方向精度優(yōu)于0.2nm；
6"圓形真空吸盤(pán)，樣品最大厚度可達(dá)40mm
50 光學(xué)顯微鏡
多臺(tái)套奧林巴斯及尼康光學(xué)顯微鏡，配備相應(yīng)控制分析軟件，最高放大倍數(shù)1000倍。
51 工藝流程 各種半導(dǎo)體器件工藝流程設(shè)計(jì)與實(shí)施
查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站 http://www.semi.cas.cn/cgzl/201403/P020150416307521238099.pdf。 |
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2015-7-8 12:2
