【產(chǎn)通社，4月23日】綜合外電報道，受到Intel推出5500系列Xeon服務器處理器的刺激，Samsung Electronics決定增加50納米制程技術的DDR3 DRAM產(chǎn)能。
DDR3是第三代的雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取記憶體，Samsung和其它公司相信DDR3將在今年成為DRAM技術產(chǎn)業(yè)的主流。
DDR3芯片執(zhí)行速度規(guī)格有每秒800、1066、1333兆位等。同時，相較于60納米制程技術的DDR3 DRAM，每秒1333兆位的芯片可以省下40%電力。
