【產(chǎn)通社，7月2日】持續(xù)低迷的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣讓所有的供貨商面臨虧損，奇夢達(dá)(Qimonda)與Spansion已經(jīng)分別申請破產(chǎn)。誰會是下一個？SEMI網(wǎng)站消息，產(chǎn)業(yè)分析師在Memcon研討會上表示，“內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營模式面臨崩解，解決之道是更理性的行為以及整并”。

產(chǎn)業(yè)觀察家現(xiàn)在懷疑臺灣的眾家DRAM制造商可能撐不下去，甚至認(rèn)為就連Elpida、Hynix與Micron等大廠也命在旦夕。不過也有人預(yù)期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將在09年第四季或2010年第一季復(fù)蘇；其它人則不能確定，因為市場需求與內(nèi)存平均銷售價格(ASP)仍然疲軟。

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的低迷時期已經(jīng)持續(xù)多年，該市場衰退的原因包括需求不振、價格疲軟以及供應(yīng)過剩。眼前的蕭條情況沒什么特殊之處，需求水平仍然低落，而且最近剛有過一波無節(jié)制的、不理性的產(chǎn)能擴(kuò)充潮發(fā)生，尤其是在臺灣。

新一代內(nèi)存技術(shù)成救身符

不過，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還有一線生機(jī)，新一代內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)邁入成熟階段，特別是服務(wù)器等系統(tǒng)應(yīng)用的儲存級內(nèi)存(storage-class memories)；所謂的儲存級內(nèi)存，號稱是可作為處理器與系統(tǒng)磁盤之間I/O間距(gap)之橋梁的新一代組件。

儲存級內(nèi)存包括部份(非全部)所謂的通用內(nèi)存(universal memory')，例如FRAM、MRAM、相變化(phase-change)、RRAM等新技術(shù)；不過這些新一代技術(shù)大部份距離實現(xiàn)還有數(shù)年，有人甚至懷疑這些新技術(shù)是否能真的脫離原型階段進(jìn)入量產(chǎn)。

因此產(chǎn)業(yè)顧問公司JLC Associates總裁Jim Cantore認(rèn)為，大多數(shù)的新內(nèi)存技術(shù)恐怕暫時難以擺脫窘境，而現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)如DRAM、NAND與NOR，將繼續(xù)擴(kuò)張它們的市場版圖并開創(chuàng)新應(yīng)用。

新一代內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)者還在積極開發(fā)產(chǎn)品，他們也有很好的理由──市場研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research執(zhí)行長Alan Niebel估計，儲存級內(nèi)存市場將在09年由0達(dá)到5,000萬美元，甚至在2015年擴(kuò)張到60億美元。

在該領(lǐng)域也有不少廠商，Unity Semiconductor就是其中之一，該公司的CMOx技術(shù)是以一種稱為導(dǎo)電金屬氧化物(conductive metal oxides)的新材料為基礎(chǔ)，據(jù)說能導(dǎo)致離子運(yùn)動；利用該技術(shù)，Unity Semiconductor開發(fā)出一種被動式可重復(fù)讀寫交叉點內(nèi)存數(shù)組(passive rewritable crosspoint memory array)，號稱在內(nèi)存單元內(nèi)不需要晶體管。

另外還有一家新創(chuàng)公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出現(xiàn)，說他們正在開發(fā)一種以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(silicon carbide，SiC)材料為基礎(chǔ)的、采用硅基板的非揮發(fā)性內(nèi)存。

相變內(nèi)存的應(yīng)用將從手機(jī)開始

內(nèi)存大廠Numonyx與Samsung Electronics不久前宣布，將連手開發(fā)相變化內(nèi)存技術(shù)，預(yù)計今年可訂出共同規(guī)格，并在2010年推出產(chǎn)品。

新組件也需要新的標(biāo)準(zhǔn)。Numonyx表示，以JEDEC 42.6為基礎(chǔ)的LPDDR2接口將成為新一代1Gbit、45nm制程內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)應(yīng)用于手機(jī)、嵌入式內(nèi)存與高階運(yùn)算裝置。手機(jī)大廠Nokia也支持該標(biāo)準(zhǔn)，并計劃在手機(jī)內(nèi)使用相變化內(nèi)存技術(shù)，這也是促使Numonyx與Samsung策略聯(lián)盟的主因。

傳統(tǒng)內(nèi)存前景復(fù)雜

至于傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的前景，狀況則有些復(fù)雜。分析師表示，包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等內(nèi)存接口IP供貨商的業(yè)績，目前已看到好轉(zhuǎn)。NOR/NAND閃存市場預(yù)計在09年達(dá)到185億美元規(guī)模，較08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel預(yù)期，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的衰退情況將在今年第四季或明年第一季終止，內(nèi)存價格已經(jīng)趨于穩(wěn)定，多個應(yīng)用領(lǐng)域也開始看到微幅需求成長。

JLC的Cantore補(bǔ)充指出：“NAND市場的恢復(fù)速度會比DRAM市場來得快。”

在DRAM市場部份，Lazard Capital Markets分析師Daniel Amir表示，DRAM價格平穩(wěn)，若狀況持續(xù)，DRAM廠商可能會開始提升產(chǎn)能；目前整體DRAM庫存水位也在低點。