Rochester大學(xué)的科學(xué)家們發(fā)明了一種新的“彈道參數(shù)計(jì)算”芯片設(shè)計(jì)，采用這種設(shè)計(jì)方法可以制造3000千兆赫（3兆兆赫）的芯片，而且發(fā)熱量很小。 
    該大學(xué)計(jì)算機(jī)工程教授Marc Feldman表示，這種“彈道偏轉(zhuǎn)晶體管（BDT）”設(shè)計(jì)所帶來的變化是根本性的。 
    標(biāo)準(zhǔn)晶體管不斷縮小存在一個(gè)難以克服的問題。按照當(dāng)前的晶體管設(shè)計(jì)，電容層在尺度極小的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)問題，而BDT沒有有電容層。 
　　提出這個(gè)設(shè)計(jì)思路的該校研究生Quentin Diduck稱BDT是既繼電器、電子管和半導(dǎo)體之后技術(shù)進(jìn)化軌跡的下一發(fā)展階段。
　　據(jù)Rochester大學(xué)稱，BDT利用電子傾向于“游離”的慣性將電子“彈”入選定的彈道，而不是用強(qiáng)制性外力將其放入合適的位置。它的功能更像是電子的一個(gè)交接點(diǎn)，而不是一個(gè)耗費(fèi)能量來停止或啟動(dòng)電子的裝置。正是采用這種方法，能耗要求大大降低。