【產(chǎn)通社，3月24日】行業(yè)研究公司DRAMeXchange表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）芯片市場(chǎng)在創(chuàng)下歷史最大跌幅后，預(yù)計(jì)將連續(xù)三年呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)，因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)將復(fù)蘇而產(chǎn)能擴(kuò)張有限。
　
繼三星（Samsung）、力晶（Powerchip Semiconductor）等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光科技（Micron）近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃。美光表示，他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

不久前，三星公司芯片部門曾公開表態(tài)，希望業(yè)者不應(yīng)盲目增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎，以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。
　　
早在2005年，全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增產(chǎn)能，花費(fèi)了大量的資金來(lái)安裝新設(shè)備和興建新廠房，結(jié)果2007-2009年間內(nèi)存市場(chǎng)的產(chǎn)能過剩效應(yīng)嚴(yán)重影響了內(nèi)存芯片廠商的效應(yīng)，大多數(shù)內(nèi)存芯片廠商在此期間均在虧本經(jīng)營(yíng)。