【產(chǎn)通社，4月17日】臺灣媒體報道，臺積電（TSMC）在美西時間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會中宣布，將跳過22納米制程，直接發(fā)展20納米制程，預(yù)定可在2012年下半年導(dǎo)入生產(chǎn)。臺積電強調(diào)，這個考慮是基于“為客戶創(chuàng)造價值”而作的決定，提供客戶一個更可行的先進制程選擇。

這次技術(shù)研討會有1500位客戶及合作廠商代表參與。臺積電公司20納米制程將比22納米制程擁有更優(yōu)異的閘密度(gate density)以及芯片效能/成本比，為先進技術(shù)芯片的設(shè)計人員提供了一個可靠、更具競爭優(yōu)勢的制程平臺。此外，20納米制程預(yù)計于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。

臺積電公司20納米制程系在平面晶體管結(jié)構(gòu)制程(planar process)的基礎(chǔ)上采用強化的高介電值/金屬閘(high-k metal gate)、創(chuàng)新的應(yīng)變硅晶(strained silicon)與低電阻/超低介電值銅導(dǎo)線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術(shù)。同時，在其他晶體管結(jié)構(gòu)制程方面，例如鰭式場效晶體管(FinFet)及高遷移率(high-mobility)組件，也展現(xiàn)刷新記錄的可行性(feasibility)指標(biāo)結(jié)果。

從技術(shù)層面來看，由于已經(jīng)具備創(chuàng)新微影技術(shù)及必要的布局設(shè)計能力，臺積電公司因此決定直接導(dǎo)入20納米制程。

臺積電指出，在先進制程技術(shù)的開發(fā)上，已經(jīng)面臨一個關(guān)鍵時刻，也就是必須主動積極地考慮其投資報酬率，并且需要跳脫單單考慮技術(shù)層面的思維模式；必須透過與客戶密切合作以及在資源整合與優(yōu)化方面的創(chuàng)新，同時解決來自技術(shù)及經(jīng)濟層面的挑戰(zhàn)。