【產通社，7月26日】半導體產業(yè)進入摩爾定律（Moore's Law）后期，3D IC技術成為延伸摩爾定律的重點技術之一。雖然3D IC具有效能佳、高密度和異質整合等優(yōu)點，但目前挑戰(zhàn)不少，包括材料、設備等皆需要同步改革，新的產業(yè)鏈正逐漸形成，以創(chuàng)造商機。

業(yè)內人士表示，3D IC是由不同功能的異質性芯片通過TSV互連技術進行連結的。TSV技術的阻值較低，這比載板工藝好。雖然TSV技術是往上堆棧，但芯片厚度不見得會傳統(tǒng)技術厚。以此增加密度及帶寬，加快傳輸速度，可以減少芯片電耗，進而達到成本降低的效果。

雖然3D IC具有不少優(yōu)點，并視為摩爾定律向下延伸的半導體新技術，但目前仍存在不少挑戰(zhàn)性。以TSV互連技術為例，晶圓要更加薄化，如何處理如紙薄的晶圓，所以承載的載板和工具都是需要更新。另外，TSV通孔的形成(Via Forming)與導電金屬的注入，各家業(yè)者也都沒有統(tǒng)一。

另外，在芯片堆棧與結合(Bonding)部分，可分為Die-to-Die與Wafer-to-Wafer，其中在Die-to-Die之間的連結會用到micro bump，這也是新技術。因為晶圓薄，封裝技術也有其難度，而測試也會遇到問題，以前可以直接進行晶圓測試(CP)，最后才會做成品測試，但是3D IC有了高度，測試技術就和以往不同，還有已知良品(KGD)的問題，如何在晶圓測試就能精準找出不良品，這便成為測試廠的挑戰(zhàn)。

整體而言，3D IC基于延伸摩爾定律來出發(fā)，成為帶動半導體成長的驅力，未來包括材料、工具和設備都需要改變，將會帶動供應鏈改變，進而創(chuàng)造新的商機。3D IC最快在2012-2013年就有產品應用。