【產通社，12月4日】2010年對于全球半導體產業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，該年度全球半導體產業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產業(yè)僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業(yè)成長的重要動力。拓墣產業(yè)研究所（TRI）研究員陳蘭蘭預估，2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能型手機等移動通訊產品興起而與日俱增。

至于晶圓代工和DRAM產業(yè)，雖然2010年將各成長40%和80%，不過由于全球景氣緩慢復蘇，加上2010年基期已高，2011年晶圓代工業(yè)產值預估仍僅將小幅度增長5.5%；DRAM產業(yè)則因小幅供過于求，將繳出負成長20%的慘綠成績。

DRAM產業(yè)春來春又去

2010年DRAM整體營收成長80%，是有史以來最好的一年，韓廠因此獲利大增、排名上升，Samsung僅1-9月總營收即達315.4億美元，直逼Intel營收規(guī)模；但臺廠除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及華亞科營收皆不如預期。

拓墣預估，2011年全球DRAM整體營收將較2010年下滑20%，僅322億美元，ASP也恐降至1.2-1.4美元/Gb的低水平，只有Samsung等具有成本優(yōu)勢之國際大廠可能獲利，對于負債比仍高的臺廠來說，2011年又將是艱困的一年。例如無財團支撐的茂德，除寄望Elpida或政府伸出援手外，恐別無他法。

Mobile DRAM將成為引領高端制程的新力量

近年為滿足智能手機等移動運算裝置使用需求，使得Mobile DRAM這類具有獨特省電特性的內存應運而生。另外，追求輕薄短小的手機也為內存帶來新挑戰(zhàn)，不僅耗電量要低，更要在有限空間內達到最大容量，只有采用最先進制程，才能符合所有的要求，故Mobile DRAM可望成為引領高端制程的新力量。

拓墣指出，Mobile DRAM不僅具備省電特性，最終產品型態(tài)也不同于一般內存模塊。Mobile DRAM通常采用裸晶配合NAND Flash進行MCP封裝，或采用PoP（Package-on-Package）封裝，再與Application Processor堆棧組裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套，業(yè)者應即早切入，發(fā)展出完整供應鏈，才能在Mobile DRAM市場占一席之地。

NAND Flash寄望移動云計算

移動云計算新趨勢興起，智能手機等移動裝置可實時將時、空、影、音等各項信息提供給數(shù)據(jù)中心（Data Center）中的云端服務器進行運算，以取得最佳結果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色，因此兩者占整體內存的比重也將逐漸增加。

雖然NAND Flash需求量大，但由于各大NAND Flash廠紛紛透過擴產、制程微縮及采用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率，預估2011年將有微幅供過于求的狀況，但價格可望維持一定水平。

SSD仍將集中在中、高階機種

在SSD部分，拓墣預估2011年開始采用2xnm MLC顆粒單位價格將降至與目前Server級硬盤（1美元/GB）相近水平，再配合先進ECC、Wear Leveling等技術延長使用壽命至服務器等級，可望大幅度提高SSD在服務器市場使用率。但由于SSD與PC/NB用硬盤仍存在相當大的價格差異（SSD單位價格約1美元/GB，PC/NB用硬盤僅0.1美元/GB），所以SSD在NB中的運用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機種。
                   
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