【產(chǎn)通社，3月28日】國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)（SEMI）官網(wǎng)消息，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期涌現(xiàn)許多令人振奮的消息，讓人有種450mm世代即將到來(lái)的錯(cuò)覺。2011年激增的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出，率先為新世代打下了良好的基礎(chǔ)，而晶圓尺寸則可能邁入20nm等級(jí)的制程節(jié)點(diǎn)。此外，令人意想不到的地帶也蓋起了晶圓廠。再者，許多公司2011年資本支出金額再度沖破歷年紀(jì)錄，創(chuàng)下新高。
 
根據(jù)SEMI針對(duì)半導(dǎo)體制造商的資本支出(capex)所更新的晶圓廠相關(guān)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)顯示，預(yù)期2011年半導(dǎo)體資本支出總額將增長(zhǎng)15-20%。雖然這并不是歷史記錄中最高的一次，但支出中有極大部分安排于全新以及二手設(shè)備投資上，顯示出廠商們想要一展鴻圖的企圖心。

2011年晶圓廠設(shè)備支出增長(zhǎng)了28%

在2011年2月25日所公布的新版全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告中，SEMI提供針對(duì)超過(guò)200件廠務(wù)設(shè)施的最新資料，其中也包括了LED晶圓廠。透過(guò)由下而上的縝密調(diào)查方式(從每家晶圓廠的所有項(xiàng)目計(jì)劃進(jìn)行追蹤分析)，研究顯示：與去年同期相比，2011年晶圓廠設(shè)備支出增長(zhǎng)了28%，2012年則預(yù)估將微幅下降4%。此外，在建廠計(jì)劃上，2011年支出預(yù)計(jì)將下降約13%，且此態(tài)勢(shì)預(yù)期將持續(xù)到2012年。
 
晶圓大廠2011年資本支出創(chuàng)新高許多晶圓大廠在2011年的支出金額之大不但令人眩目更達(dá)到了歷史高點(diǎn)。例如，臺(tái)積電的資本支出在2010年就有59億美元之多，2011年再創(chuàng)新高達(dá)到78億美元；另外，英特爾的資本支出則從2010年的52億美元加碼至2011年的90億美元；至于Globalfoundries，資本支出更是翻倍成長(zhǎng)，從2010年的27億美元躍升至2011年的54億美元。

再來(lái)看三星，其2011年的資本支出加上研發(fā)費(fèi)用，總金額比2010年增加了18%，但由于三星打算在LCD、OLED和研發(fā)上投入更多心力，因此實(shí)際用于半導(dǎo)體的金額反而下降了14%。此外，包括海力士、美光、中芯國(guó)際、東芝、意法半導(dǎo)體和英飛凌等其他公司也紛紛調(diào)高今年的資本支出(金額超越去年但未創(chuàng)新高)。
 
市場(chǎng)局勢(shì)已然改變，半導(dǎo)體各分眾產(chǎn)業(yè)間的投資比例也開始起了變化。一直以來(lái)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)向來(lái)是支出比例最高的領(lǐng)域。但今年，晶圓代工廠的設(shè)備支出比例首度接近內(nèi)存的支出水平。
 
2011年晶圓代工廠的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到歷史高點(diǎn)，2012年比例還會(huì)持續(xù)攀升，而內(nèi)存廠商在2011年的支出遠(yuǎn)不及2006和2007這兩年，其設(shè)備支出的水平約接近2008年的水平。值得注意的是，微處理器(MPU)和邏輯組件(Logic)這個(gè)領(lǐng)域占據(jù)了相當(dāng)大的支出比例，主要是因?yàn)橛⑻貭栐?011年積極投入微處理器的開發(fā)產(chǎn)生。
 
產(chǎn)能穩(wěn)定成長(zhǎng)根據(jù)SEMI的World Fab Forecast報(bào)告預(yù)測(cè)，產(chǎn)能將以穩(wěn)健的步伐向上成長(zhǎng)，在不含分離組件(Discretes)的情況下，2011年漲幅約為9%，2012年則為7 %。
 
與各分眾產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出的比例一樣，2011年晶圓代工廠以產(chǎn)能增長(zhǎng)幅度最大，其次是MPU/Logic，再來(lái)是內(nèi)存。此外，晶圓代工廠也將帶動(dòng)2012年的產(chǎn)能成長(zhǎng)。雖然成長(zhǎng)比例鼓舞人心，但其增幅仍低于2004至2007年的歷史水平，經(jīng)濟(jì)衰退發(fā)生前，2004至2007年間的每年產(chǎn)能增長(zhǎng)介于14~23%。
 
受到宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)的影響，要對(duì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行超過(guò)兩年的預(yù)測(cè)是相當(dāng)具有挑戰(zhàn)性的。但SEMI的World Fab Forecast報(bào)告仍針對(duì)未來(lái)2012~2016年間，即將開工量產(chǎn)的45家晶圓廠的數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行推斷。預(yù)計(jì)2013和2014這兩年的年產(chǎn)能增長(zhǎng)率約在7%左右，為盡量避免產(chǎn)能過(guò)剩，造成供過(guò)于求的情況發(fā)生，多數(shù)的支出是為了改善現(xiàn)有設(shè)施。
 

建廠計(jì)劃：如何才算是產(chǎn)能吃緊?

正當(dāng)晶圓廠設(shè)備支出創(chuàng)下記錄的同時(shí)，一些新的設(shè)施也即將露臉。令人較為意外的是，有些新廠蓋在令人驚訝的地方，譬如阿布扎比(Abu Dhabi)和西伯利亞(Siberia)。相較于過(guò)去10年的建廠計(jì)劃，未來(lái)兩年的發(fā)展將呈現(xiàn)極為緩慢的狀況，尤其是新的300mm晶圓廠 
2010年，總計(jì)有34家新廠開始動(dòng)工興建，而2011年，最多可能只有7家新廠建置計(jì)劃，到了2012年更只剩下了4家。相比之下，過(guò)去五年來(lái)，每年至少有20家新的晶圓廠動(dòng)工興建，其中2009和2010年，LED建廠數(shù)量最多。
 
LED建廠計(jì)劃漸緩新晶圓廠的建置大多來(lái)自于LED產(chǎn)業(yè)，而其晶圓尺寸主要是2吋及4吋。然而，從2011和2012年起，新LED晶圓廠的建設(shè)也開始明顯減少。在SEMI的World Fab報(bào)告中，有24家新LED晶圓廠于2010年開始建設(shè)，但2011年則可能只有5家LED建廠計(jì)劃。
 
這種放緩的趨勢(shì)可能原因是業(yè)者認(rèn)知到短期內(nèi)增加了過(guò)多的產(chǎn)能，再加上中國(guó)政府補(bǔ)貼計(jì)劃的變更。舉例而言，過(guò)去中國(guó)政府以巨額補(bǔ)貼大力支持其國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展，廠商每臺(tái)MOCVD反應(yīng)裝置(reactor)可獲得人民幣8-10M的補(bǔ)助款，但部份的補(bǔ)貼計(jì)劃將在今年屆滿，而其它的計(jì)劃也可能會(huì)有所變動(dòng)。
 
300mm新建廠趨緩SEMI的World Fab Forecast報(bào)告中指出，2010年共計(jì)有7座300mm晶圓廠開始建設(shè)，但不包括R&D和試產(chǎn)線(pilots)。但在2011年只有英特爾預(yù)計(jì)于年中動(dòng)工；而2012年則有3座300mm晶圓廠即將建設(shè)，其中一座為晶圓代工廠，另兩座則屬于整合組件制造商(IDM)，其中的兩廠有可能做為450mm的無(wú)塵室。
 
新300mm建廠計(jì)劃趨緩的可能原因有幾個(gè)，首先是大型設(shè)施的供應(yīng)讓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的時(shí)間表拉長(zhǎng)了；而在IDM廠商大量外包制造給代工廠商的同時(shí)，現(xiàn)有晶圓廠也正在為升級(jí)至下一世代而做準(zhǔn)備；此外，近來(lái)經(jīng)濟(jì)衰退讓產(chǎn)業(yè)界不希望再度出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)度擴(kuò)張的情況；最后，部份廠商可能在等待450mm的技術(shù)成熟，因此保留實(shí)力以便能在新世代來(lái)臨時(shí)大顯身手。
 
但假設(shè)需求依舊旺盛且持續(xù)增加，那么產(chǎn)能吃緊的情況就可能成為一個(gè)隱憂。如果現(xiàn)有的晶圓廠產(chǎn)能滿載，廠商可能無(wú)力提升他們的技術(shù)以滿足新的需求。因?yàn)閺膹S房建設(shè)到足以大量生產(chǎn)的時(shí)間，一般約需一到一年半，以致于在2011年中期之后動(dòng)工的新晶圓廠，根據(jù)其所采用的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，可能必須到2012年底或更久之后才能進(jìn)行量產(chǎn)。
 
450mm世代漸露曙光SEMI的World Fab Forecast報(bào)告也首度指出，有7座晶圓廠未來(lái)將可能成為450mm廠，預(yù)估2013年將有第一座廠房上線。此外，部份供450mm使用的設(shè)備已經(jīng)問(wèn)市，譬如量測(cè)工具、晶圓分類裝置和晶圓清洗機(jī)等，但與450mm相關(guān)的設(shè)備是否全已備妥并足以供應(yīng)量產(chǎn)之用，仍有待觀察。
 
不過(guò)幾家重要的設(shè)備制造商目前正大力推廣450mm，而且各國(guó)政府也對(duì)450mm有濃厚的興趣，譬如歐盟委員會(huì)最近決定與兩家市調(diào)顧問(wèn)公司Future Horizons和Decision SA簽下為期一年的合約，針對(duì)在歐洲建置450mm生產(chǎn)線進(jìn)行評(píng)估，藉此提升歐州產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。過(guò)去，政府單位就透過(guò)獎(jiǎng)勵(lì)措施大力支持300mm，使得首條試產(chǎn)線得以順利在德國(guó)的德勒斯登(Dresden) SC300建置完成。

蓋在沙漠和西伯利亞的晶圓廠兩大經(jīng)濟(jì)誘因

不需課稅及政府強(qiáng)力的補(bǔ)貼政策，驅(qū)動(dòng)著廠商投資新廠建置，阿布扎比的Advanced Technology Investment Company (ATIC)公司日前宣布將斥資60-70億美元在馬斯達(dá)爾(Masdar)城緊鄰阿布扎比國(guó)際機(jī)場(chǎng)處成立高科技中心(High Tech Center)。雖然這是阿布扎比建設(shè)其半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施的第一步，但該中心內(nèi)將規(guī)劃一座300mm晶圓廠，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間將于2014或2015年。
 
走出滿是沙漠的酷熱區(qū)，來(lái)到另一個(gè)極端世界：俄羅斯奈米科技公司Rusnano打算在西伯利亞蓋廠生產(chǎn)電信芯片(telecommunication IC)。名稱為Micran的項(xiàng)目計(jì)劃將設(shè)在位處西伯利亞西部的托木斯克(Tomsk)的科技園區(qū)，據(jù)稱該廠已于2010年底開始動(dòng)工興建。
 
SEMI的World Fab Database針對(duì)各項(xiàng)晶圓廠的項(xiàng)目計(jì)劃進(jìn)行追蹤分析，以提供給廣大讀者最新信息，而World Fab Forecast報(bào)告中囊括了1,122件設(shè)施，其中包括近50家未來(lái)興建的晶圓廠。針對(duì)2011年，此份研究報(bào)告資料囊括200多項(xiàng)設(shè)備項(xiàng)目和43個(gè)建廠項(xiàng)目。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.semi.org/MarketInfo/FabDatabase。