（產(chǎn)通社，7月6日）受終端市場(chǎng)需求拖累及三星回收瑕疵品可能流入現(xiàn)貨市場(chǎng)等影響，6月DRAM和NAND Flash價(jià)格同步滑落，DDR2 eTT 1Gb價(jià)格跌破2美元，進(jìn)而影響內(nèi)存模塊廠6月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)，與5月相較幾乎全數(shù)下滑。

業(yè)者指出，進(jìn)入五窮六絕傳統(tǒng)淡季時(shí)期，受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)淡，DRAM模塊銷(xiāo)售量也未見(jiàn)明顯需求出現(xiàn)，加上6月底上游DRAM大廠季底作帳的影響，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，也影響下游通路商備貨意愿。

在NAND Flash價(jià)格方面，NAND Flash繼5月買(mǎi)氣低迷回調(diào)修正后，6月現(xiàn)貨價(jià)格更出現(xiàn)罕見(jiàn)的急跌，主要是由于蘋(píng)果需求未見(jiàn)明顯及次貸通膨影響終端消費(fèi)所致。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange) 統(tǒng)計(jì)，6月下旬的NAND Flash的合約價(jià)更大跌近20%，終端通路的需求買(mǎi)氣呈現(xiàn)疲弱。

集邦科技認(rèn)為，隨著合約價(jià)走穩(wěn)，現(xiàn)貨市場(chǎng)隨中國(guó)大陸奧運(yùn)后市場(chǎng)機(jī)制恢復(fù)正常，以及市場(chǎng)庫(kù)存陸續(xù)消化完畢后，1Gb DDRII有效測(cè)試顆粒（eTT）報(bào)價(jià)本季可望大幅反彈，上漲空間在10%至20%左右，有助帶動(dòng)DRAM廠及模塊廠業(yè)績(jī)持續(xù)走揚(yáng)。

而面對(duì)近年來(lái)罕見(jiàn)的NAND型閃存 (Flash)崩盤(pán)危機(jī)，三星電子亦忍不住主動(dòng)向下游客戶(hù)廣發(fā)宣傳帖，釋出蘋(píng)果7月有5000萬(wàn)顆8Gb芯片訂單的消息，配合5月調(diào)整產(chǎn)能效應(yīng)浮現(xiàn)，認(rèn)為7月NAND Flash的晶圓及記憶卡供應(yīng)量將減少。而在短期急跌下，NAND Flash價(jià)格受到此消息激勵(lì)，7月初出現(xiàn)連續(xù)性的反彈，現(xiàn)貨價(jià)8G MLC產(chǎn)品已重回2.5美元價(jià)位。

集邦科技認(rèn)為，由于5月及6月降價(jià)幅度較大，在伴隨7月中旬后3G iPhone、智能型手機(jī)與低價(jià)計(jì)算機(jī)的新機(jī)種推出，預(yù)期下半年傳統(tǒng)旺季效益，可帶動(dòng)NAND報(bào)價(jià)與市況自8月起回穩(wěn)。整體來(lái)看，內(nèi)存報(bào)價(jià)在歷經(jīng)5月及6月淡季效應(yīng)后，7月初以來(lái)已出現(xiàn)止穩(wěn)或反彈的力道，大幅減輕模塊廠及NAND Flash廠商的營(yíng)運(yùn)壓力，股價(jià)也出現(xiàn)止跌反彈。

不過(guò)，終端消費(fèi)需求目前仍是受通膨及次貸的影響，進(jìn)而壓縮消費(fèi)性電子市場(chǎng)及相關(guān)零組件的需求力道；至于旺季效應(yīng)及蘋(píng)果3G iPhone、智能型手機(jī)與低價(jià)計(jì)算機(jī)的降價(jià)效應(yīng)，能否刺激消費(fèi)需求，則仍待觀察。