【產(chǎn)通社，1月18日訊】ABI Research關(guān)于大功率射頻有源器件市場的研究顯示，隨著4-18GHz氮化鎵（GaN）器件的普遍應(yīng)用，在微波射頻功率半導(dǎo)體器件方面的開銷將持續(xù)增長，預(yù)計微波射頻半導(dǎo)體市場規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。其中，點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛(wèi)星通信、各種雷達(dá)和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率GaN器件的應(yīng)用中獲益。

ABI研究公司市場調(diào)研總監(jiān)Lance Wilson表示，“當(dāng)砷化鎵（GaAs）器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時候，GaN器件將促進(jìn)增長。GaN器件能在更高電壓和功率下工作，而這是GaAs器件所難以實(shí)現(xiàn)的。”

微波射頻功率半導(dǎo)體是指輸出功率超過3瓦、工作頻率在4-18GHz的微波射頻功率半導(dǎo)體器件。除了上述領(lǐng)域的應(yīng)用之外，微波GaN器件終于達(dá)到了能對行波管構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的性能水平，這將使歷史上使用后者的領(lǐng)域能夠進(jìn)行新的設(shè)計。

該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業(yè)領(lǐng)域主要變化的成果。該研究涉及對六個主要領(lǐng)域（C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件）以及28個應(yīng)用子領(lǐng)域的分析。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.abiresearch.com。