2007年光刻掩膜市場達到30.1億美元，其中包括零售廠商和自用廠商的銷售額，掩膜市場已成為僅次于硅材料的第二大晶圓制造材料市場。展望未來，2010年掩膜市場預計可達38.9億美元，并仍保持第二大半導體制造材料市場的位置。目前從銷售收入來看，北美是最大的掩膜市場，然而中國臺灣預計將在2009年超越北美。

光刻技術不斷推進，其中包括極紫外（EUV）、無掩膜（maskless）和納米壓印（nano-imprint）等新技術。目前沉浸式光刻用于45nm工藝量產——除了Intel例外。沉浸式光刻之所以被采用，主要是由于該技術是在原有技術上改進而得，而不是完全革命性的技術。盡管制造商必須購買沉浸式設備，但前期投資以及培訓、子系統(tǒng)、激光器、光學材料和涂層等專業(yè)技術在沉浸式光刻中均可復用。

目前的水沉浸系統(tǒng)在單步操作中可獲得38nm的特征尺寸。在這之前，業(yè)界曾沉浸式系統(tǒng)中的水必須由其他液體來替代。然而，并沒有找到合適的替代液體。雙版技術已經(jīng)出現(xiàn)并成為32nm工藝光刻技術的有力競爭者。但雙版技術有其自身的挑戰(zhàn)，會增加工藝的復雜度，其中包括嚴格的覆蓋要求、關鍵尺寸的控制要求以及制版分離給版圖設計帶來的限制。所有這些挑戰(zhàn)都會增加該技術的成本。盡管復雜度增加，該技術仍在進展中。

近期SEMI發(fā)布的報告——Photomask Characterization Summary提供了2007年半導體掩膜市場的詳細信息，并對2010年前做了預測。報告覆蓋了七個地區(qū)（北美、日本、歐洲、韓國、中國臺灣、中國大陸、其他地區(qū)）的掩膜市場。
 
http://www.semi.org.cn/news/news_show.aspx?id=7604
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