【產通社，6月7日訊】6月5日“筑巢引鳳，融合創(chuàng)新”全景鳳凰營·灣區(qū)科創(chuàng)大賽啟動儀式暨大賽首場海選項目路演在杭州市濱江區(qū)全景網杭州路演中心舉行，派恩杰半導體（杭州）有限公司（PN JUNCTION SEMICONDUCTOR）創(chuàng)始人、總經理、技術總監(jiān)黃興在本次路演中介紹，公司已布局核心專利14項，其中已授權3項，另掌握碳化硅與氮化鎵的全套工藝菜單等重要技術秘密。 

派恩杰半導體是杭州濱江區(qū)引進的第三代半導體功率器件設計公司，坐落于海創(chuàng)基地，被納入“杭州國家‘芯火’創(chuàng)新基地孵化企業(yè)”，簽約杭州濱江區(qū)“5050”計劃。派恩杰產品有碳化硅三極管，碳化硅二極管；氮化鎵三極管等，其廣泛應用于新能源、智能電網、物聯(lián)網、電力電子等領域。成立僅6個月，完成全球第一款可兼容驅動650V氮化鎵功率器件。
 
派恩杰目前生產制造和封裝測試采用委外代工模式，與代工廠一同實現(xiàn)產品開模量產；同時，派恩杰將投入核心研發(fā)設備和建立應用開發(fā)實驗室，實現(xiàn)對研發(fā)能力的持續(xù)提升和完善對市場客戶的需求應對。

查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.pnjsemi.com，以及http://rs.p5w.net/html/100621.shtml。（robin, 張底剪報）