【產(chǎn)通社，9月25日訊】在美國加州舉行的“SPIE光掩模技術(shù) + EUV光刻”會議上，AMSL核心合作伙伴——比利時Imec實(shí)驗(yàn)室展示了兩項(xiàng)單次印刷高數(shù)值孔徑 EUV光刻技術(shù)成果：
1、間距為20nm的線條結(jié)構(gòu)，具有13nm的尖端 CD（臨界尺寸），適用于鑲嵌金屬化工藝。
2、使用直接金屬蝕刻（DME）工藝獲得的20nm間距和18納米間距的釕線條。
這兩者成果均通過單次印刷高數(shù)值孔徑（NA）極紫外（EUV）光刻技術(shù)獲得。對于20納米間距的DME線條結(jié)構(gòu)，電學(xué)測試的良率達(dá)到了100%。
Imec副總裁Steven Scheer表示：“ASML-imec高數(shù)值孔徑EUV聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室在費(fèi)爾德霍芬正式啟用后，imec及其合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)在推動光刻技術(shù)發(fā)展和推動行業(yè)邁入埃時代方面取得了長足進(jìn)步。此次展示的成果標(biāo)志著一個新的里程碑，彰顯了imec在光刻研發(fā)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位�！�

高數(shù)值孔徑EUV圖案化的重要里程碑

Imec在2月份的SPIE先進(jìn)光刻和圖案技術(shù)會議上展示了20nm間距的金屬化線結(jié)構(gòu)，本次里程碑式展示不僅標(biāo)志著高數(shù)值孔徑EUV圖案化單次印刷能力提升的重要里程碑，將推動高數(shù)值孔徑EUV向大批量生產(chǎn)過渡，解鎖2nm以下邏輯技術(shù)路線圖。
該結(jié)果是通過優(yōu)化金屬氧化物抗蝕劑以及底層、照明光瞳形狀和掩模獲得的。如果要中斷金屬線，就需要這樣的結(jié)構(gòu)，在連接邏輯集成電路中的門時也需要這樣的結(jié)構(gòu)。
在不影響功能的情況下，端到端距離將縮小至13納米及以下，以滿足20納米金屬間距邏輯路線圖的要求�！拔覀冋谶M(jìn)一步縮小端到端尺寸，并在11納米工藝上取得令人鼓舞的成果，并將這些結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到底層硬掩模中，從而實(shí)現(xiàn)真正的鑲嵌互連�！�
Imec預(yù)計(jì)，在20nm間距以下需要替代的金屬化方案，這就是為什么實(shí)驗(yàn)室想要證明釕（Ru）直接金屬蝕刻與單次曝光High NAEUV光刻的兼容性。
imec實(shí)現(xiàn)了20納米和18納米間距的釕線，包括15納米的尖端結(jié)構(gòu)和低電阻功能互連。對于20納米間距的金屬化線結(jié)構(gòu)，獲得了100%的電氣測試良率。

EUV光刻技術(shù)將邁入埃時代

繼2025年2月在SPIE先進(jìn)光刻與圖案技術(shù)大會上展示20納米間距金屬化線結(jié)構(gòu)后，imec如今通過單次曝光高數(shù)值孔徑EUV光刻工藝，實(shí)現(xiàn)了20納米間距線結(jié)構(gòu)，其點(diǎn)對點(diǎn)（T2T）臨界尺寸（CD）達(dá)到13納米。
對于13納米T2T結(jié)構(gòu)，測量結(jié)果顯示其局部CD均勻性（LCDU）低至3納米，標(biāo)志著業(yè)界的一個里程碑。該結(jié)果采用金屬氧化物光刻膠（MOR）獲得，并與底層、照明光瞳形狀和掩模版選擇共同優(yōu)化。
imec計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展高級副總裁Steven Scheer表示：“與多重曝光相比，采用單次High NAEUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)這些邏輯設(shè)計(jì)可減少處理步驟，降低制造成本和環(huán)境影響，并提高良率。這些成果支持鑲嵌金屬化技術(shù)，這是互連制造的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。T2T結(jié)構(gòu)是互連層的重要組成部分，因?yàn)樗鼈兛梢灾袛嘁痪S金屬軌道。為了滿足20納米金屬間距的邏輯路線圖，T2T距離預(yù)計(jì)將縮小到13納米及以下，同時保持功能性互連。進(jìn)一步縮小T2T尺寸的開發(fā)工作正在進(jìn)行中，11納米T2T已取得可喜的成果，并將結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到底層硬掩模中，從而實(shí)現(xiàn)真正的（雙）鑲嵌互連。”
為了實(shí)現(xiàn)20納米以下的金屬化工藝，業(yè)界很可能會轉(zhuǎn)向其他金屬化方案。作為第二項(xiàng)成果，imec展示了釕（Ru）直接金屬蝕刻（DME）與單次曝光高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)的兼容性，實(shí)現(xiàn)了20納米和18納米間距的釕線，包括15納米T2T結(jié)構(gòu)和低電阻功能互連。對于20納米間距的金屬化線結(jié)構(gòu)，獲得了100%的電測試良率。
Steven Scheer表示：“在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）設(shè)立ASML-imec高數(shù)值孔徑EUV聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室后，imec及其合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)在推進(jìn)高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)方面取得了長足進(jìn)步，并推動行業(yè)邁入埃級時代。此次成果標(biāo)志著一個新的里程碑，彰顯了imec在光刻研發(fā)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。imec-ASML將與高數(shù)值孔徑EUV生態(tài)系統(tǒng)（包括領(lǐng)先的芯片制造商、設(shè)備、材料和光刻膠供應(yīng)商、掩模公司以及計(jì)量專家）密切合作，持續(xù)共同優(yōu)化高數(shù)值孔徑EUV光刻和圖形化技術(shù)，以支持邏輯和存儲器的發(fā)展路線圖。”

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