【產(chǎn)通社，4月27日訊】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）官網(wǎng)消息，其新款N溝道TrenchFET功率MOSFET采用熱增強型PowerPAKSO-8封裝，在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。SiR872ADP適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。在這些應用當中，SiR872ADP的導通電阻比前一代器件低45%，可降低傳導損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。

產(chǎn)品特點

SiR872ADP在10V和7.5V下導通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。器件的FOM可減低傳導和開關損耗，從而提高總的系統(tǒng)效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數(shù)量，并簡化設計。

SiR872ADP進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，以及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，讓設計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能夠滿足所有功率轉(zhuǎn)換應用的需求。

供貨與報價

新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.vishay.com。