【產(chǎn)通社，5月29日訊】聯(lián)華電子（UMC）消息，其與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財領(lǐng)導(dǎo)廠商——Kilopass簽署了技術(shù)開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財將于聯(lián)華電子兩個28納米先進(jìn)制程平臺上使用，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM；以及受消費性電子產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片設(shè)計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

聯(lián)華電子28納米制程的芯片閘極密度為40納米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/SiON) 制程，與業(yè)界其它28納米多晶硅(Poly/SiON)制程相比，具備了更優(yōu)異的效能及功耗上的提升。為配合系統(tǒng)單芯片設(shè)計公司不同的電源需求，此制程提供了多個電壓選項：1.8V、2.5V和2.5/3.3V。而28HPM高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項、內(nèi)存儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計公司大幅提高產(chǎn)品整體效能和電池續(xù)航力。

Kilopass公司與聯(lián)華電子的合作關(guān)系開始于2010年的聯(lián)華電子40LP制程，現(xiàn)已完成推出。隨著客戶對其它制程需求的增加，兩家公司決定進(jìn)一步于130/110/55nm制程平臺上提供反熔絲嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新協(xié)議案，則將雙方伙伴關(guān)系擴(kuò)展到28納米制程平臺。

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