【產(chǎn)通社，6月30日訊】益登科技（EDOM Technology）官網(wǎng)消息，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布全新優(yōu)化的H9SOI絕緣體上硅工藝——H9SOI_FEM。意法半導(dǎo)體同時(shí)投資擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足客戶的最大需求。

意法半導(dǎo)體于2008年成功研發(fā)了具有突破性的H9SOI技術(shù)，隨后客戶運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)研制了4億多顆手機(jī)和Wi-Fi射頻開關(guān)。憑借在這一領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，H9SOI_FEM為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界最佳的品質(zhì)因數(shù)（Ron x Coff ＝ 207fs）。

H9SOI_FEM是一個(gè)柵寬0.13µm的1.2V和2.5V雙柵MOSFET技術(shù)。與制造射頻開關(guān)等分立器件的傳統(tǒng)的SOI制程不同，H9SOI_FEM支持多項(xiàng)技術(shù)，如GO1 MOS、GO2 MOS和優(yōu)化的NLDMOS，這些特性讓H9SOI_FEM支持單片集成射頻前端的全部主要功能，包括射頻開關(guān)、低噪放大器（LNA）、無線多模多頻功率放大器（PA）、雙工器、射頻耦合器、天線調(diào)諧器和射頻能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首選技術(shù)，能夠承受極低的噪聲系數(shù)（1.4dB @ 5GHz），提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設(shè)計(jì)提供較高的安全系數(shù)。
GO2 CMOS和GO2 NMOS 被廣泛用于研制射頻開關(guān)，讓意法半導(dǎo)體的工藝為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界最好的品質(zhì)因數(shù)（Ron x Coff＝ 207fs）。
GO2高壓MOS可單片集成功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下，優(yōu)化的NLDMOS技術(shù)使功率放大器的Ft達(dá)到36GHz，開關(guān)效率達(dá)到60%。關(guān)于能源管理，PLDMOS晶體管的擊穿電壓為12V，可直接連接電池。

必要時(shí)在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高集成無源器件的性能。

H9SOI_FEM既適用于重視低成本和高集成度的低端市場(chǎng)，又適用于高端智能手機(jī)市場(chǎng)。高端產(chǎn)品通常要求集成多頻段，不僅支持2G、3G和4G標(biāo)準(zhǔn)，還需支持其它的無線連接標(biāo)準(zhǔn)，如藍(lán)牙、Wi-Fi、GPS和用于非接觸式支付的NFC（近距離通信）。

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