快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)12月5日推出業(yè)界封裝最小的P溝道MOSFET器件FDZ191P，可為各種低壓(<20V)可攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用物件包括：流動電話、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、醫(yī)療設(shè)備，以及其他智能式，小型化的可攜式產(chǎn)品。
    快捷半導(dǎo)體的FDZ191P器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的功率MOSFET。FDZ191P作為PowerTrench MOSFET，采用了快捷半導(dǎo)體最新的晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)，因而具有出色的熱阻(83℃/W)和低RDS(ON) (4.5V時為67mΩ)。FDZ191P具有超小型(1.0×1.5×0.65mm) 封裝，與同類器件相比能節(jié)省至少30% 的電路板空間，而且最大的封裝高度僅為0.65mm，使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。FDZ191P還能夠工作于1.5V的低電壓，這在功率管理設(shè)計(jì)中是一個重要的特性。此外，F(xiàn)DZ191P還滿足全球電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有“綠色”和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
    快捷半導(dǎo)體低壓功率產(chǎn)品部市務(wù)總監(jiān)Chris Winkler稱：“快捷半導(dǎo)體的FDZ191P正在為超小型及高性能MOSFET市場設(shè)立新的標(biāo)準(zhǔn)，并同時印證了快捷半導(dǎo)體的專業(yè)技術(shù)，結(jié)合高密度的MOSFET硅片來開發(fā)尖端的封裝技術(shù)�？旖莅雽�(dǎo)體采用1.0×1.5mm WL-CSP封裝的產(chǎn)品系列正不斷擴(kuò)展，為設(shè)計(jì)人員提供了理想的解決方案，能夠應(yīng)付低壓設(shè)計(jì)對于空間和功率管理電路方面的挑戰(zhàn)�！�
    FDZ191P的主要優(yōu)點(diǎn)包括：
·超小的封裝和高度：僅占用1.5mm²的印刷電路板面積，當(dāng)安裝在印刷電路板上時，F(xiàn)DZ191P的高度不超過0.65mm，因此適用于各種高密度應(yīng)用；
·出色的熱性能和電氣性能：FDZ191P提供優(yōu)良的散熱特性 (安裝在1"×1"銅焊盤上時，Rthja = 83℃/W)。它還可滿足可攜式產(chǎn)品的功率管理設(shè)計(jì)要求(Vgs = 4.5V 時典型的RDS_(ON) 為67mΩ，Vgs=2.5V時RDS(ON)為85mΩ)；
·高功率和大電流處理能力：安裝在1"×1"銅焊盤上時，F(xiàn)DZ191P有助于實(shí)現(xiàn)1.5W的功率耗散(Pd)和3A的連續(xù)漏極電流(ID)；
·滿足RoHS/綠色標(biāo)準(zhǔn)要求：FDZ191P能達(dá)致國際性的RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠色標(biāo)準(zhǔn)。
    這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。目前已經(jīng)有現(xiàn)貨供應(yīng)，交貨期為收到訂單后12周內(nèi)。查詢詳情，請瀏覽快捷半導(dǎo)體的網(wǎng)頁，網(wǎng)址為：www.fairchildsemi.com，或聯(lián)絡(luò)快捷半導(dǎo)體香港辦事處，電話為(852) 2722 8338。要了解相關(guān)產(chǎn)品的更多資訊，請?jiān)L問網(wǎng)頁：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ191P.pdf。    （完）