【產(chǎn)通社，11月14日訊】中國科學院微電子研究所（Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences，IMECAS）官網(wǎng)消息，其集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心科研人員10月27-11月1日參加第224屆國際電化學會議(ECS 224th)，并作關(guān)于22納米技術(shù)代工藝研發(fā)工作成果的報告，受到業(yè)內(nèi)關(guān)注。

國際電化學協(xié)會(electrochemical society, ECS)于1902年在美國創(chuàng)立，是具有廣泛國際影響的學術(shù)組織，目前擁有8000多名注冊會員，包括來自70多個國家的科學家和工程師。

ECS大會已舉行224屆，是一個具有重要影響力的學術(shù)盛會。先進集成電路工藝以及相關(guān)材料，整合技術(shù)是ECS大會的一個重要主題。每次會議都吸引集成電路研發(fā)領(lǐng)域的知名研究機構(gòu)和公司參加。

有來自世界各地的約3000多位科學家和工程人員參加了本次大會，IMEC、IBM、Global foundry、Samsung、Micro、Applied materials、LAM、ASM等研究機構(gòu)和企業(yè)到會做了精彩的報告。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心楊濤、崔虎山、王桂磊、項金娟、孟令款5位科研人員，分別就“22nm工藝開發(fā)中鎢金屬柵填充及化學機械平坦化”、“ALD工藝前驅(qū)源對Al2O3/Ge界面的影響”以及“后柵集成工藝中阻擋層TaN評估”等主題作了報告，受到了與會的IMEC、IBM、Global foundry、Samsung、ASM等工業(yè)界學術(shù)代表的廣泛關(guān)注。

經(jīng)過三年多工藝平臺建設(shè)的艱苦工作，集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心建成了能夠開展高端CMOS工藝研發(fā)的平臺，并在兩年多的時間里取得了一系列面向20納米平面CMOS工藝和14納米FinFETS工藝研發(fā)的成果。此次在ECS大會上展示的成果集中于20納米技術(shù)代中的工藝難點，并回答了“W金屬是否對金屬柵的Vt有影響？”、“ALD TaN層作為后柵工藝阻擋層的可行性”等工業(yè)界廣泛關(guān)注的問題，其成果對高K-金屬柵的工業(yè)應(yīng)用具有直接影響。

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