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德州儀器超小型FemtoFET MOSFET支持最低導(dǎo)通電阻
2013/11/15 9:49:44     

【產(chǎn)通社,11月15日訊】德州儀器(TI)官網(wǎng)消息,其FemtoFET MOSFET晶體管面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用,采用超小型封裝,支持不足100毫歐的導(dǎo)通電阻。


產(chǎn)品特點(diǎn)


三個(gè)N通道及三個(gè)P通道FemtoFET MOSFET均采用平面柵格陣列(LGA)封裝,與芯片級(jí)封裝(CSP)相比,其可將板積空間銳減40%。CSD17381F4與CSD25481F4支持不足100毫歐的導(dǎo)通電阻,比目前市場(chǎng)上類似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET均提供超過4000V的人體模型(HVM)靜電放電(ESD)保護(hù)。點(diǎn)擊這里觀看視頻。

FemtoFET MOSFET歸屬TI NexFET功率MOSFET產(chǎn)品系列,該系列還包括適用于手機(jī)等便攜式應(yīng)用的CSD25213W10 P通道器件以及CSD13303W1015 N通道器件等。TI提供LP5907大電流低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器以及TPS65090前端電源管理單元(PMU)等各種系列的電源管理產(chǎn)品,可為手持應(yīng)用節(jié)省板級(jí)空間,降低功耗。

FemtoFET MOSFET系列的主要特性與優(yōu)勢(shì):
 . 不足100毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低70%,可節(jié)省電源,延長(zhǎng)電池使用壽命;
 . emtoFET 0.6×1.0×0.35毫米的LGA封裝比標(biāo)準(zhǔn)CSP小40%;
 . 1.5-3.1A的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場(chǎng)類似尺寸器件相比,可提供超過2倍的性能。


供貨與報(bào)價(jià)


FemtoFET MOSFET器件現(xiàn)已開始批量供貨。查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。

    (完)
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