【產(chǎn)通社，12月26日訊】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，“973計(jì)劃”項(xiàng)目“納米結(jié)構(gòu)電荷俘獲材料及高密度多值存儲(chǔ)基礎(chǔ)研究”2013年度總結(jié)大會(huì)日前在微電子所召開。

專家組成員科技部重大科學(xué)研究計(jì)劃處王靜副處長(zhǎng)，中科院前沿科學(xué)與教育局楊永峰處長(zhǎng)、孔明輝處長(zhǎng)，外國(guó)專家局馬俊如教授，中科院吳德馨院士、王占國(guó)院士、夏建白院士、李樹深院士、高鴻鈞院士，清華大學(xué)范守善院士，中科院上海高等研究院院長(zhǎng)封松林研究員，中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春研究員，中科院國(guó)家納米中心王琛研究員，北京大學(xué)薛增泉教授、朱星教授、張興教授，中山大學(xué)鄧少芝教授，中科院微電子所科技處處長(zhǎng)王文武研究員及項(xiàng)目組科研人員參加會(huì)議。項(xiàng)目首席科學(xué)家劉明研究員及各課題負(fù)責(zé)人、科研骨干分別匯報(bào)了項(xiàng)目的工作進(jìn)展情況。

劉明研究員首先向?qū)＜医M和與會(huì)人員介紹了該項(xiàng)目的研究背景、研究目標(biāo)和年度項(xiàng)目進(jìn)展情況。她指出，項(xiàng)目各課題不僅圓滿完成了本年任務(wù)，并在四個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域取得了較大的突破：對(duì)新型氧化物存儲(chǔ)材料及含有多層電荷俘獲材料的電荷存儲(chǔ)器件開展了系統(tǒng)性的研究；利用原位電子全息技術(shù)研究了多晶HfO2俘獲層在不同的操作電壓下俘獲電荷的聚集和擴(kuò)散，首次直接觀察到電荷俘獲存儲(chǔ)器內(nèi)部的電荷轉(zhuǎn)移和分布過程，該成果發(fā)表在Nature Communications上；通過對(duì)電荷俘獲存儲(chǔ)器在應(yīng)力條件下器件界面及體缺陷生長(zhǎng)的研究，完善了自主開發(fā)的CTM器件模擬平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了電荷俘獲存儲(chǔ)器器件性能退化的預(yù)測(cè)；面向嵌入式應(yīng)用，完成了2T結(jié)構(gòu)CTM存儲(chǔ)器件的集成技術(shù)研發(fā)和閃存芯片的研制。該項(xiàng)目在2013年度共發(fā)表論文42篇，其中SCI收錄29篇，國(guó)際學(xué)術(shù)期刊28篇，國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊5篇，國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議9篇；授權(quán)發(fā)明專利14項(xiàng)，新申請(qǐng)發(fā)明專利11項(xiàng)。

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