瑞薩科技公司(Renesas Technology)日前宣布，推出采用56引腳QFN封裝R2J20602NP。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。
    R2J20602NP符合英特爾公司提議的“集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)”封裝標(biāo)準(zhǔn)(以下稱作DrMOS)。它集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端開關(guān)電源MOSFET。R2J20602NP是瑞薩科技繼第一代的R2J20601NP支后開發(fā)的第二代DrMOS標(biāo)準(zhǔn)兼容產(chǎn)品，也是在工藝和封裝結(jié)構(gòu)方面進(jìn)行了改進(jìn)的更高性能的第二代產(chǎn)品。R2J20602NP的主要特性包括：

(1)40A的最大輸出電流
    40A的最大輸出電流——代表了業(yè)界的最高性能——采用瑞薩科技的高性能功率MOSFET技術(shù)、新開發(fā)的高輻射/低損耗封裝，以及專為功率MOSFET性能而優(yōu)化的高速驅(qū)動(dòng)器IC。這些技術(shù)支持需要大電流的CPU、FPGA和存儲(chǔ)器等電子元件。

(2)與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比，功率損耗降低20%以上
    當(dāng)工作在1MHz開關(guān)頻率時(shí)，其大約為89%的最高效率實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平(Vin=12V，Vout=1.3V)。其輸出電流為25A，功率損耗為4.4W——業(yè)界的最低水平——比瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于實(shí)現(xiàn)高效的電源配置，并抑制散熱量，從而開發(fā)出一個(gè)節(jié)能的最終產(chǎn)品。

(3)小型封裝與第一代產(chǎn)品引腳安排兼容
    其封裝與瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP引腳安排兼容。8×8×0.95mm的小型56引腳QFN封裝適用于高速交換，有助于使用更小的外部電感器和電容器等無(wú)源元件，并可減少元件數(shù)量。這將使VR變得更小。
    樣品供貨將從2006年12月在日本開始。詳細(xì)情況，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20061120.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases。