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Vishay非對稱PowerPAK SO-8L通過AEC-Q101認證
2014/1/7 10:26:28     

【產通社,1月6日訊】Vishay Intertechnology(NYSE 股市代號:VSH)官網消息,其通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET功率MOSFET——SQJ940EP和SQJ942EP可用于車載應用,把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5×6mm封裝里,比使用分立MOSFET的方案節(jié)省空間,低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。


產品特點


這些MOSFET是業(yè)內首批通過汽車級認證的采用非對稱封裝的雙芯片MOSFET,為降低傳導損耗,增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作,具有車內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統(tǒng),例如收音機和GPS系統(tǒng)。

SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下,SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ,溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比,SQJ940EP的低邊導通電阻低31%,而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ,高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。

這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測試,符合RoHS,無鹵素。


供貨與報價


SQJ940EP和SQJ942EP現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為14-16周。查詢進一步信息,請訪問官方網站http://www.vishay.com。

    (完)
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