全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)，12月19日推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統(tǒng)等多種運(yùn)行環(huán)境的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。新型DirectFET器件采用IR先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)及新一代HEXFET功率MOSFET硅，額定電流可達(dá)35A，其散熱表現(xiàn)更加卓越且效率更高，而占板面積則只相當(dāng)于扁平型SO-8封裝。
　　IR亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通過(guò)持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)MOSFET的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)DirectFET MOSFET可以替代兩個(gè)或三個(gè)SO-8封裝器件�！�
　　該器件的典型10V RDS(on)非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉(zhuǎn)換器的原邊MOSFET。
    IRF6643TRPbF采用中級(jí)尺寸(MZ) DirectFET封裝，目前已開(kāi)始供貨。有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù)，詳見(jiàn)http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。    （完）