【產(chǎn)通社，5月18日訊】東芝公司（Toshiba Corporation；TOKYO:6502）消息，其將拆除四日市業(yè)務(wù)部（Yokkaichi Operations）生產(chǎn)基地的2號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠（Fab 2），并在同一地點(diǎn)新建晶圓廠。Fab 2是該公司位于日本三重縣的NAND閃存制造廠。為共同投資新廠房，東芝還與閃迪公司（SanDisk；NASDAQ: SNDK）簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄。新建晶圓廠的主要目的旨在提供生產(chǎn)空間，以便將現(xiàn)有的東芝和閃迪2D NAND產(chǎn)能從2016年開(kāi)始向3D NAND進(jìn)行轉(zhuǎn)化。

現(xiàn)有Fab 2的拆除工作將于今年5月啟動(dòng)，而新廠將于2014年9月開(kāi)始施工，并預(yù)計(jì)于2015年夏季竣工。新晶圓廠內(nèi)的無(wú)塵室將分階段進(jìn)行建設(shè)，以便與2D NAND產(chǎn)能向3D NAND轉(zhuǎn)化的時(shí)間安排相吻合。第一階段無(wú)塵室建設(shè)將按時(shí)完成，以配合2016年產(chǎn)出。產(chǎn)能轉(zhuǎn)化加速和設(shè)備投資、生產(chǎn)啟動(dòng)，以及新晶圓廠的產(chǎn)量水平方面的決策將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)作出。

新晶圓廠將提供工藝配套設(shè)施，主要用于3D NAND存儲(chǔ)器的生產(chǎn)，并將與四日市的其他設(shè)施密切配合使用。東芝和閃迪將通過(guò)合資企業(yè)，利用其最先進(jìn)的光刻、沉積和蝕刻制造設(shè)備支持3D存儲(chǔ)器生產(chǎn)。

該新晶圓廠將采用減震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計(jì)，包括整棟建筑的LED照明。它還將配備最先進(jìn)的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)備，從而確保提高生產(chǎn)力，同時(shí)降低功耗。高效利用廢熱將有助于降低燃料消耗和減少二氧化碳排放量，相比Fab 5可減少15%。而Fab 5是目前四日市生產(chǎn)基地中最先進(jìn)的晶圓廠。

在向3D NAND過(guò)渡期間，東芝和閃迪將通過(guò)合資企業(yè)，充分利用四日市生產(chǎn)基地資源，以最大化投資效率。展望未來(lái)，兩家公司將繼續(xù)共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)，并進(jìn)行投資以滿足市場(chǎng)需求。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.toshiba.co.jp/index.htm。