【產(chǎn)通社，5月21日訊】安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor；美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）消息，其新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場(chǎng)現(xiàn)有器件。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“將導(dǎo)電及開(kāi)關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效，是越來(lái)越多終端市場(chǎng)設(shè)計(jì)人員極希望可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù)，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平，幫助我們客戶達(dá)到他們嚴(yán)格的設(shè)計(jì)性能目標(biāo)。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用的開(kāi)關(guān)器件，或者用于配合負(fù)載點(diǎn)（POL）模塊中的同步整流。這些器件提供包含及不包含集成一個(gè)肖特基二極管的不同版本，能幫助工程師提供更高能效。

安森美半導(dǎo)體深知終端產(chǎn)品性能越來(lái)越強(qiáng)調(diào)高能效，故優(yōu)化了新功率MOSFET的設(shè)計(jì)、材料及封裝，以降低損耗。0.7mΩ的一流導(dǎo)通阻抗（RDSon）性能和3780pF的低輸入電容確保導(dǎo)電、開(kāi)關(guān)及驅(qū)動(dòng)器等損耗降至最低。安森美半導(dǎo)體還深思熟慮，確保這些MOSFET提供較現(xiàn)有器件更優(yōu)的熱性能和低封裝阻抗及感抗。

供貨與報(bào)價(jià)

NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無(wú)鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價(jià)分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無(wú)鉛μ8-FL封裝，每1,500片批量的單價(jià)分別為0.86和0.67美元。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（洪菲，博達(dá)公關(guān)）