【產(chǎn)通社，5月25日訊】友尚企業(yè)集團（YOSUN GROUP）官網(wǎng)消息，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）最新的高速絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）兼具近乎完美的開關(guān)能效和650V的寬額定工作電壓，為應(yīng)用設(shè)計提供更高的安全系數(shù)。新HB系列絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）擁有比競爭對手的高頻產(chǎn)品低40%的關(guān)機能源（turn-off energy），同時可降低達30%導(dǎo)通損耗。 

產(chǎn)品特點

HB系列利用意法半導(dǎo)體的溝槽型絕緣閘極雙極性晶體管制程，集極關(guān)斷無曳尾（collector-current turn-off tail-less）電流極低，飽和電壓（Vce(sat)）為1.6V（典型值），從而最大幅度降低了開關(guān)和導(dǎo)通時的能耗。此外，這項技術(shù)具有良好的可控性，參數(shù)分布窗口十分緊密，從而可提高設(shè)計再用性，簡化系統(tǒng)設(shè)計。 

HB系列IGBT可提升目標(biāo)應(yīng)用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機（welders）、不間斷電源供應(yīng)器（uninterruptible power supplies）、功率因子校正器（power-factor correction）和高頻功率轉(zhuǎn)換器。650V的寬額定工作電壓確保環(huán)境溫度在-40°C時崩潰電壓（breakdown voltage）至少600V，使其特別適用于寒冷地區(qū)的太陽能逆變器。175°C的最大工作結(jié)溫和寬安全工作區(qū)（SOA，Safe Operating Area）提高了產(chǎn)品的可靠性，讓目標(biāo)應(yīng)用使用更小的散熱器。

可選參數(shù)包括30A到80A（在100°C時）的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振（resonant）或硬式開關(guān)電路（hard-switching circuits）優(yōu)化的內(nèi)建二極管的封裝。

供貨與報價
 

HB系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/igbt，以及http://www.yosungroup.com/。