【產(chǎn)通社，9月27日訊】格科電子有限公司（GalaxyCore Inc.）官網(wǎng)消息，其在臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）的12吋90nm邏輯平臺上研發(fā)的“透硅成像”（Through Silicon Illumination, TSI）圖像傳感器制造技術(shù)取得成功，并即將進入量產(chǎn)階段。

格科微CEO趙立新表示，“我們?yōu)門SI技術(shù)的研發(fā)成功和其展現(xiàn)出的優(yōu)異性能感到歡欣鼓舞。同時我們感謝格科微相關(guān)團隊的卓越表現(xiàn)和TSMC的大力支持，該技術(shù)得以及時研發(fā)成功。我們將迅速在這個性能優(yōu)越的技術(shù)平臺上推出基于1.1-1.4um像素的5M、8M和13M系列產(chǎn)品，一舉打破美日韓公司壟斷高像素CMOS圖像傳感器市場的局面，為飛速發(fā)展的智能手機和平板電腦等移動互聯(lián)終端產(chǎn)品提供具有卓越性能和極具性價比優(yōu)勢的世界一流的圖像傳感器產(chǎn)品。”

產(chǎn)品特點

格科微TSI技術(shù)具有全面的自主知識產(chǎn)權(quán)，包括電路設(shè)計、像素版圖設(shè)計以及與像素相關(guān)的工藝流程技術(shù)。該技術(shù)可以用于大規(guī)模制造1.75um、1.4um和1.1um像素的CMOS圖像傳感器，并可延伸到0.9um像素的技術(shù)節(jié)點。這些TSI技術(shù)具有如下優(yōu)勢：
  . 高性能：TSI技術(shù)在大幅度提高靈敏度、信噪比的同時，顯著地抑制了熱燥、暗電流和串?dāng)_等噪聲。 
  . 高速度和低功耗：TSI技術(shù)采用TSMC的90nm工藝作為技術(shù)平臺，并進一步優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù)，同時結(jié)合格科微獨特的電路設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)了CMOS圖像傳感器的高速度與低功耗，由此保證高幀率預(yù)覽與拍照，同時保證芯片的低功耗從而實現(xiàn)出色的低熱燥水平。
  . 顯著的成本優(yōu)勢：TSI技術(shù)采用格科微自主創(chuàng)新的像素工藝技術(shù)，使用較少的工藝步驟實現(xiàn)優(yōu)越的圖像性能。

供貨與報價

格科微預(yù)期將在2014年至2015年期間陸續(xù)推出基于該先進技術(shù)的5M、8M以及13M像素的圖像傳感器系列產(chǎn)品。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.gcoreinc.com。