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TSMC與海思半導(dǎo)體合作產(chǎn)出業(yè)界首顆16FinFET網(wǎng)通處理器
2014/9/29 10:49:12     

【產(chǎn)通社,9月29日訊】臺(tái)積公司(TSMC)官網(wǎng)消息,其已與海思半導(dǎo)體有限公司合作,產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET制程及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)之功能完備的網(wǎng)通處理器。這項(xiàng)里程碑強(qiáng)力證明了雙方深入合作的成果,同時(shí)也展現(xiàn)了臺(tái)積公司堅(jiān)持提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的承諾,以滿足客戶對(duì)下一世代高效能及具節(jié)能效益產(chǎn)品之與日俱增的需求。

臺(tái)積公司的16FinFET制程能夠顯著改善速度與功率,并且降低漏電流,有效克服先進(jìn)系統(tǒng)單芯片技術(shù)微縮時(shí)所產(chǎn)生的關(guān)鍵障礙。相較于臺(tái)積公司的28納米高效能行動(dòng)運(yùn)算(28HPM)制程,16FinFET制程的
芯片閘密度增加兩倍,在相同功耗下速度增快逾40%,或在相同速度下功耗降低逾60%。

臺(tái)積公司總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音博士表示:“我們?cè)贔inFET領(lǐng)域的研發(fā)已經(jīng)超過十年,很高興龐大的努力獲得回饋并締造此項(xiàng)成就。我們相信能發(fā)揮此項(xiàng)技術(shù)的最大效益,并在專業(yè)集成電路服務(wù)領(lǐng)
域的先進(jìn)制程上,繼續(xù)保持長(zhǎng)期領(lǐng)先地位的優(yōu)良紀(jì)錄!

臺(tái)積公司的16FinFET制程早于2013年十一月即完成所有可靠性驗(yàn)證,良率表現(xiàn)優(yōu)異,并進(jìn)入試產(chǎn)階段,為臺(tái)積公司與客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。藉由臺(tái)積公司的16FinFET制程,海思半導(dǎo)體得以生產(chǎn)具顯著效能與功耗優(yōu)勢(shì)的全新處理器,以支持高階網(wǎng)通應(yīng)用產(chǎn)品。海思半導(dǎo)體同時(shí)亦采用臺(tái)積公司經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證且能整合多元技術(shù)芯片的CoWoS®三維集成電路封裝技術(shù),能有效整合16納米邏輯芯片與28納米輸出/輸入芯片,提供具成本效益的系統(tǒng)解決方案。

海思半導(dǎo)體總裁何庭波表示:“很高興在臺(tái)積公司FinFET技術(shù)及CoWoS解決方案的支持下,我們創(chuàng)新的設(shè)計(jì)得以成功產(chǎn)出有效硅芯片。針對(duì)下一世代無線通信及路由器,我們領(lǐng)先業(yè)界產(chǎn)出以FinFET制程
及ARMv8架構(gòu)為基礎(chǔ)的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)通處理器,指令周期可達(dá)2.6GHz,效能亦較前一代處理器增快三倍,深具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),且能支持虛擬化、軟件定義網(wǎng)絡(luò)(SDN)及網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化(NFV)應(yīng)用
的下一世代基地臺(tái)、路由器及其他網(wǎng)通設(shè)備,同時(shí)協(xié)助我們達(dá)到產(chǎn)品迅速上市的目標(biāo)!

查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.tsmc.com.tw。

    (完)
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