【產(chǎn)通社，1月22日訊】德州儀器（TI）官網(wǎng)消息，其11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN封裝的25V CSD16570Q5B和30V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，新型12V FemtoFET CSD13383F4面向低電壓電池供電型應(yīng)用，在采用0.6×1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競爭器件低84%的極低電阻。

產(chǎn)品特點(diǎn)

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)在計(jì)算機(jī)服務(wù)器和電信應(yīng)用中確保安全的運(yùn)作。例如25V CSD16570Q5B支持0.59mΩ的最大導(dǎo)通電阻，而30V CSD17570Q5B則實(shí)現(xiàn)了0.69mΩ的最大導(dǎo)通電阻。

新型CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應(yīng)用的LM27403配合使用，從而構(gòu)成一套完整的同步降壓型轉(zhuǎn)換器解決方案。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。

供貨與報(bào)價(jià)

目前，F(xiàn)emtoFET CSD13383F4以及CSD17670Q5B和CSD17570Q5B產(chǎn)品可通過TI及其授權(quán)分銷商批量采購。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。