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英飛凌和松下為常關(guān)型600V GaN功率器件建立雙源供應(yīng)
2015/3/15 12:50:27     

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【產(chǎn)通社,3月15日訊】英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG;FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)消息,其與松下公司(Panasonic Semiconductor Solutions;TSE: 6752)達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,在將松下常關(guān)型(增強(qiáng)型)硅基氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)集成到英飛凌表面貼裝器件(SMD)封裝內(nèi)的基礎(chǔ)上,雙方將聯(lián)手開發(fā)氮化鎵(GaN)器件。出于這一原因,松下為英飛凌頒發(fā)了松下常關(guān)型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可證。該協(xié)議將有助于這兩家公司制造高性能GaN器件。兼容性封裝的GaN電源開關(guān)(目前任何其他硅基GaN器件都無法獲得這種裝置)將擁有兩個(gè)可靠的來源,客戶會(huì)從中獲得額外優(yōu)勢(shì)。

作為一種下一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)之一,硅基GaN一直以來都是重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象,一方面硅基GaN會(huì)使高功率密度和更小占用空間(如對(duì)電源和適配器而言)成為可能,另一方面會(huì)成為提高能源效率的關(guān)鍵因素?傊诠杌鵊aN技術(shù)的功率器件可運(yùn)用于廣泛的領(lǐng)域,從服務(wù)器機(jī)組中的電源等高壓工業(yè)應(yīng)用(所展示的600V GaN器件的潛在應(yīng)用)到DC-DC轉(zhuǎn)換器等低壓應(yīng)用(如高端日用消費(fèi)品)。一項(xiàng)IHS市場(chǎng)研究報(bào)告顯示,功率半導(dǎo)體元件硅基GaN相關(guān)市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)以超過50%的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng),銷售額將從2014年的1500萬美元增長(zhǎng)至2023年的8億美元。

英飛凌科技公司電源管理和多元市場(chǎng)部門總裁Andreas Urschitz說道:“英飛凌致力于為客戶提供廣泛的一流產(chǎn)品和技術(shù)組合方案,其中包括基于氮化鎵的可靠功率器件。我們相信,增強(qiáng)型硅基GaN開關(guān)將與相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)程序和優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方案一起為客戶創(chuàng)造巨大的價(jià)值,而雙源供應(yīng)概念將有助于客戶實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈的管理和穩(wěn)定!

松下電器半導(dǎo)體有限公司(Panasonic Semiconductor Solutions)總裁Toru Nishida表示:“松下充分利用自身的復(fù)合半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)開發(fā)了配置簡(jiǎn)單、動(dòng)力易于控制的常關(guān)型GaN功率技術(shù)。我們希望通過為英飛凌發(fā)放基于公司GaN功率技術(shù)的常關(guān)型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可證來加速GaN功率器件的擴(kuò)張。公司將不斷創(chuàng)新常關(guān)型GaN技術(shù),以提供滿足客戶需求的解決方案!

雙方均同意不進(jìn)一步披露本協(xié)議的任何細(xì)節(jié)。查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.infineon.com。(BusinessWire)

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