【產通社，3月18日訊】安森美半導體(ON Semiconductor；美國納斯達克上市代號：ONNN)消息，在和功率轉換器專家Transphorm在基于氮化鎵(GaN)的電源方案基礎上，最新推出了NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240W參考設計。

安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“GaN晶體管為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢，基于GaN的產品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿，并加速市場的廣泛采納。”

產品特點

NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)的導通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ，采用優(yōu)化的TO-220封裝，易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600V產品均已使用JEDEC標準認證并在量產。

NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現(xiàn)和評估他們的電源設計中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+kHz運行時實現(xiàn)，而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。

供貨與報價

查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.onsemi.cn，以及http://www.transphormusa.com/。（Sissi Xi，博達公關）