【產(chǎn)通社，5月19日訊】安森美半導體（ON Semiconductor；美國納斯達克上市代號：ON）消息，其新的高能效單N溝道功率MOSFET系列提供低得令人難以置信的導通電阻RDS（on）值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164pF的門極電容（Ciss），確保保持盡可能低的驅(qū)動損耗。

安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“OEM的工程團隊不斷致力于創(chuàng)建更高能效的電力系統(tǒng)設計，同時占用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高能效的設計目標�！�

產(chǎn)品特點

安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40V，最大導通電阻值（Vgs為10V時）分別為0.74mΩ、0.9mΩ和2.8mΩ，連續(xù)漏電流分別為352A、315A和127A。

與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60V，最高導通電阻分別為1.2mΩ、1.5mΩ和4.7mΩ，而相關(guān)的連續(xù)漏電流為287A、235A和93A。40V和60V的這兩種器件的額定工作結(jié)溫都高達175°C，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。

安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產(chǎn)品線。

供貨與報價

NTMFS5C404NL、NTMFS5C410NL、NTMFS5C442NL、NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL（DFN-8）封裝，每10,000片批量的單價從0.42美元起。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（Sissi Xi，博達公關(guān)）