【產(chǎn)通社，5月28日訊】安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor；美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）消息，其新器件——NCP51200、NCP51400、NCP51510和NCP51199采用內(nèi)置功率MOSFET，針對(duì)在電腦、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和手持消費(fèi)市場(chǎng)等廣泛應(yīng)用中的特定應(yīng)用如SDRAM DIMM內(nèi)存、伺服器、路由器、智能手機(jī)、平板電腦平臺(tái)、機(jī)頂盒、智能電視、打印機(jī)和個(gè)人電腦/筆記本電腦主機(jī)板。同時(shí)，還提供經(jīng)AEC-Q100認(rèn)證的版本用于汽車應(yīng)用如嵌入式GPS定位系統(tǒng)、信息娛樂(lè)和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)及藍(lán)牙通信。

安森美半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品副總裁Simon Keeton說(shuō)：“DDR內(nèi)存廣泛擴(kuò)展至許多非傳統(tǒng)產(chǎn)品如連接和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）促使增強(qiáng)的數(shù)據(jù)通信。我們現(xiàn)為整個(gè)DDR市場(chǎng)提供全面的變革器件，適用于新設(shè)計(jì)項(xiàng)目，以及直接替代現(xiàn)有器件；但具更高性能以支持將來(lái)內(nèi)存升級(jí)。NCP51400和NCP51510是很先進(jìn)的集成電路（IC），能支持下一代DDR技術(shù)，而NCP51145結(jié)合卓越的性能及有吸引力的價(jià)格。此外，我們提供通過(guò)汽車認(rèn)證（AEC-Q100）的版本，使最新的信息娛樂(lè)和安全系統(tǒng)能跟上新車客戶期望的數(shù)據(jù)要求�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

這些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，終端電壓（VTT）低至500mV。當(dāng)與DDR4和LPDDR4使用時(shí)，每一種的主動(dòng)源電流和汲電流能力達(dá)2A。此外，當(dāng)使用DDR4和LPDDR4時(shí)，NCP51145可支持高達(dá)1.2A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2A和1.5A源汲電流，而NCP51200和NCP51510指定運(yùn)行于3A峰值電流并支持遠(yuǎn)程感測(cè)。

這些高度集成的DDR終端LDO的優(yōu)勢(shì)還包括軟啟動(dòng)、片上熱關(guān)斷和（對(duì)一些器件）欠壓鎖定機(jī)制。每一款器件都有高速差分放大器，對(duì)線性電壓和負(fù)載電流瞬變提供超快響應(yīng)。所有這些器件還都兼容DDR1和DDR2，易于升級(jí)到更新的DDR內(nèi)存。工作溫度范圍指定為-40°C至+125°C，可擴(kuò)展至+150°C用于汽車版本。

供貨與報(bào)價(jià)

15個(gè)NCP51xxx LDO方案提供3種不同的封裝，包括8只引腳的SOIC-EP、8只引腳2×2mm的DFN和10只引腳3×3mm的DFN封裝。每3,000片批量的單價(jià)范圍從0.07-0.195美元。（Sissi Xi，博達(dá)公關(guān)）