【產(chǎn)通社，6月8日訊】Vishay Intertechnology公司（NYSE股市代號：VSH）官網(wǎng)消息，其三款新的600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有低反向恢復(fù)電荷和導(dǎo)通電阻，在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應(yīng)用中可提高可靠性，并且節(jié)能。

產(chǎn)品特點

這些600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，充實了Vishay現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相 全橋和LLC半橋的零電壓開關(guān)（ZVA）/軟開關(guān)拓撲。在這些應(yīng)用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復(fù)電荷（Qrr）比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。

21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應(yīng)用里，可實現(xiàn)極低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。

這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。

供貨與報價

新的EF系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2015年2季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為18-20周。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.vishay.com。