【產(chǎn)通社，7月21日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔（TSV）技術(shù)，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon R 300繪圖卡系列。AMD Radeon R9 Fury X GPU采用了聯(lián)華電子TSV制程以及晶粒堆棧技術(shù)，在硅中介層上融合連結(jié)AMD提供的HBM DRAM高頻寬存儲(chǔ)器及GPU，使其GPU能提供4096位元的超強(qiáng)記憶體頻寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能表現(xiàn)。

聯(lián)華電子市場(chǎng)營(yíng)銷副總暨TSV技術(shù)委員會(huì)共同主席簡(jiǎn)山杰表示：“AMD致力于將頂尖GPU產(chǎn)品帶入市場(chǎng)，具有豐富的成功經(jīng)驗(yàn)。這次量產(chǎn)里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術(shù)上緊密合作下的成果，我們很榮幸能運(yùn)用此技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，協(xié)助AMD強(qiáng)化其新一代GPU產(chǎn)品。展望未來(lái)，聯(lián)華電子期盼與AMD繼續(xù)攜手，延續(xù)這份成果豐碩的伙伴關(guān)系。”

AMD資深院士（senior fellow）Bryan Black表示：“從開始研發(fā)以至量產(chǎn)階段，聯(lián)華電子皆采用創(chuàng)新技術(shù)打造客戶產(chǎn)品，這是AMD選擇聯(lián)華電子合作硅中介層及相關(guān)TSV技術(shù)的關(guān)鍵因素。聯(lián)華電子此次順利將TSV技術(shù)運(yùn)用在AMD最新的高效能GPU上，再次證明了其堅(jiān)實(shí)的專業(yè)能力。本公司很榮幸能擁有聯(lián)華電子作為我們的供應(yīng)鏈伙伴，協(xié)助我們推出全新Radeon系列產(chǎn)品�！�

AMD提供的GPU與HBM堆棧晶粒，皆置放于聯(lián)華電子TSV制程的中介層上，透過(guò)CMOS線路重布層（redistribution layer）與先進(jìn)的微凸塊（micro-bumping）技術(shù)，這些芯片之間可于中介層彼此連通，因此得以實(shí)現(xiàn)AMD Radeon R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV硅中介層技術(shù)系于聯(lián)華電子位于新加坡的12吋特殊技術(shù)晶圓廠Fab 12i制造生產(chǎn)。

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