【產通社，9月16日訊】高通公司（Qualcomm Incorporated；NASDAQ: QCOM）官網消息，其子公司QualcommTechnologies, Inc.現(xiàn)已推出下一代快速充電技術Qualcomm Quick Charge 3.0。作為快速充電技術的第三代產品，Quick Charge 3.0在同類產品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。INOV是由QualcommTechnologies開發(fā)的全新算法，旨在幫助便攜設備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時刻實現(xiàn)最佳功率傳輸，且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內將一部典型的手機從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動終端通常需要大致一個半小時的時間。

Qualcomm Technologies, Inc.產品管理高級副總裁Alex Katouzian表示，“我們正在大幅提升Quick Charge3.0具備的功能和優(yōu)勢，把強大的快速充電技術帶給所有用戶。Quick Charge 3.0通過領先技術和包括先進終端和配件OEM廠商在內的強大生態(tài)系統(tǒng)，幫助用戶快速、高效地恢復電池電量，解決消費者使用當前移動終端時的一個重大挑戰(zhàn)。”

LG電子助理副總裁Sang G. Kim博士表示，“LG電子在最近的智能手機中采用了Quick Charge 2.0技術，并且大獲成功。LG的核心向來是致力于打造能夠帶來無與倫比用戶體驗的終端。Qualcomm Technologies的解決方案非常好地契合這一理念，而快速充電技術已迅速成為最受歡迎的終端特性之一。Qualcomm Technologies的解決方案已經遙遙領先于其他廠商，我們期待著向用戶提供Quick Charge 3.0技術，幫助他們更快、更高效地為終端充滿電量。”


產品特點


借助INOV 和其他先進技術的Quick Charge 3.0，可實現(xiàn)比QuickCharge 2.0最高達38%的效率提升，同時還采用其他方法幫助保護電池壽命周期。此外，當與Qualcomm Technologies最新的、先進并聯(lián)充電配置一起使用時，QuickCharge 3.0可以實現(xiàn)：
·與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達27%，或減少功率損耗最高達45%；
·比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。

Quick Charge 3.0現(xiàn)已正式推出，并將在部分Qualcomm 驍龍 處理器中以選配形式提供，包括驍龍820、620、618、617和430處理器；搭載這一技術的移動終端預計將于明年上市。Qualcomm驍龍?zhí)幚砥魇荙ualcommTechnologies, Inc.的產品。

Quick Charge 3.0還帶來了諸多方面的提升：在Quick Charge 2.0的基礎上增強了靈活性，特別是在充電選項方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓，達到預期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。

Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連接器（包括USBType-C）前向和后向兼容，并且擁有同樣的超快充電速度，以及獨立電路，為OEM廠商提供更靈活的選擇，此外還有幫助達到質量和安全標準的UL認證。

Quick Charge 3.0的采用建立在對現(xiàn)有設計最小化改變上，能向 OEM廠商提供低成本的快速充電選項。運營商和OEM廠商將受益于既有的Quick Charge生態(tài)系統(tǒng)，包括20多家已支持Quick Charge 2.0技術的OEM廠商和90多種可用配件。該快速充電技術已經成為數家運營商的必需配置，并得到其他運營商和零售商的積極支持。


供貨與報價


迄今為止，已有超過40款移動終端和超過100款認證配件支持Quick Charge 2.0。查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.qualcomm.com/document．/quick-charge-device-list。    （完）