【產(chǎn)通社，9月24日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其已采用0.11μm eFlash制程量產(chǎn)觸控IC應用產(chǎn)品。此特殊技術最初于2012年底于聯(lián)華電子推出，是為晶圓專工業(yè)界第一個結合12V與純鋁后段（BEoL）制程，以因應次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式閃存與SRAM，以便用于各尺寸觸控屏幕產(chǎn)品的微控制器時，0.11μm制程可提供比0.18μm制程更小更快的邏輯組件，并可達到更高效能。

聯(lián)華電子市場營銷處資深處長黃克勤表示：“觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作接口。聯(lián)華電子觸控平臺解決方案其中一項重要特點，就是我們的0.11μm eFlash解決方案，包含了可提供芯片設計公司的專有閃存macro設計服務。并藉由結合鋁后段制程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控IC市場。此外，就如本公司0.18μm eFlash制程一樣，12V可滿足今日更大尺寸觸控屏幕，與瀏覽網(wǎng)頁時在觸控屏幕上懸浮觸控（hover）應用的高信噪比需求�！�

聯(lián)華電子0.11μm觸控IC平臺與現(xiàn)今廣泛采用的3.3V解決方案相比，信噪比可改善超過三倍，可驅動芯片設計公司創(chuàng)造新世代更先進的觸控產(chǎn)品。聯(lián)華電子擁有制造觸控控制器IC的豐富經(jīng)驗，有超過30家生產(chǎn)中的觸控客戶，每月出貨量逾4000萬顆IC。0.11μm制程以8吋晶圓制造，并采用純鋁后段技術，使觸控芯片設計公司能夠享有更低的一次性工程費用與相關成本，以提高市場競爭力。

聯(lián)華電子同時提供自行研發(fā)的閃存硅智財，協(xié)助加速產(chǎn)品上市時程并促進客制化，以因應當今市場趨勢。聯(lián)華電子也開發(fā)極低漏電制程（uLL），進一步降低組件與SRAM的核心電流達最高4倍。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.umc.com。（richard yu，UMC）    （完）