富士通微電子（上海）有限公司6月20日宣布可提供富士通微電子2Mbit的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設備操作條件并安全保存信息的高端設備的理想選擇。

FRAM的高速數(shù)據(jù)寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設備中存儲計數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項之用。FRAM有100億個讀/寫周期，這相當于以每秒寫入30次的速率連續(xù)寫入10年。FRAM還可以在不使用電池的情況下存儲數(shù)據(jù)達10年以上。在如應用于儀表等設備的過程中，富士通FRAM寫機制確保即使在臨時中斷電源時，也可將數(shù)據(jù)高速寫入FRAM，因此不致丟失有用數(shù)據(jù)。

MB85R2001的配置是256K x 8；MB85R2002的配置是128K x 16。這兩種類型的讀訪問周期均為100納ns，讀/寫周期為150ns。 操作電壓為3-3.6V。

富士通微電子（上海）有限公司系統(tǒng)LSI產(chǎn)品市場部副總監(jiān)鄭國威先生表示：“FRAM技術(shù)非常適用于要求大量寫周期、低功耗和高速數(shù)據(jù)寫入的設備。這些新FRAM改進了功能，能提供更大的存儲容量，以滿足新型汽車、儀表及其它高級設計的要求。新型FRAM還具備富士通1MbitFRAM的電氣特性，只需附加連接一個地址即可輕易移植到更高容量的版本�！�

新型2Mbit FRAM產(chǎn)品具有與當前生產(chǎn)的富士通1Mbit FRAM產(chǎn)品（MB85R1001和MB85R1002）相同的電氣特性和TSOP-48數(shù)據(jù)包。只需附加連接一個地址，即可移植到2Mbit產(chǎn)品上。因此，在同一個印刷電路板上，根據(jù)所需的存儲容量，我們可以選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

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