【產(chǎn)通社，12月15日訊】中芯國際集成電路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代碼：SMI；HKEX股票代碼：981）官網(wǎng)消息，其將采用円星科技（M31 Technology Corporation）差異化高速接口IP，針對固態(tài)硬盤（SSD）、通用快閃存儲器（UFS）與USB閃存盤，推出多樣化的存儲控制器應(yīng)用IP解決方案�；谥行緡H從110nm到28nm的邏輯工藝技術(shù)，此存儲控制器應(yīng)用平臺可協(xié)助客戶實現(xiàn)低功耗、高性能和小晶片面積的產(chǎn)品設(shè)計，同時推動中芯國際的工藝平臺實現(xiàn)更多差異化的應(yīng)用。

針對固態(tài)硬盤（SSD）市場，中芯國際40nm低漏電工藝采用円星科技所開發(fā)的新一代PCIe 3.0物理層IP，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試并符合PCI-SIG的規(guī)范，針對不同帶寬需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的選擇，協(xié)助客戶快速開發(fā)出能夠支持PCle 3.0固態(tài)硬盤的芯片。此外，中芯國際預計將在28nm先進工藝采用PCIe 3.0物理層IP，提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。

由于通用快閃存儲器2.0（Universal Flash Storage；UFS 2.0將成為新一代內(nèi)嵌式存儲器的主流規(guī)格，中芯國際55nm LL工藝采用円星科技開發(fā)的MIPI M-PHY物理層IP，具備高帶寬能力與低功耗特性，已與多家廠商的控制器搭配測試并通過UFS 2.0的系統(tǒng)驗證。另中芯國際預計將在28nm HK工藝與40nm LL工藝采用円星科技的MIPI M-PHY物理層IP，除了可支持雙通道技術(shù)之外，更支持極端省電的休眠模式，尤其適合新一代的行動裝置使用。

在USB閃存控制器產(chǎn)品應(yīng)用上，円星科技自行開發(fā)的BCK（Built-in-Clock；內(nèi)建頻率）技術(shù)，為行動裝置芯片提供無石英震蕩器（Crystal-less）的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm工藝協(xié)助客戶導入量產(chǎn)。新一代的BCK技術(shù)除了支持傳統(tǒng)USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外，也支持32.768KHz的頻率輸入, 除了能擴大BCK技術(shù)至USB主機端的應(yīng)用之外，其低功率消耗的特性，也滿足了物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求。

隨著Type-C接口的普及，円星科技正在中芯國際28nm及40nm工藝上開發(fā)USB3.1/USB3.0 PHY IP，將原本需要外接的高速交換器（High-speed switch），內(nèi)建于PHY IP之中來支持無方向性的插拔，同時也支持不同VBUS組態(tài)的偵測，已成功導入客戶的產(chǎn)品設(shè)計。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.smics.com，以及http://www.m31tech.com。    （完）