【產(chǎn)通社，12月23日訊】應(yīng)用材料公司（Applied Materials；納斯達(dá)克股票代號(hào): AMAT）官網(wǎng)消息，張崇平博士榮膺2016年IEEE（國(guó)際電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)）院士，張博士負(fù)責(zé)公司與大學(xué)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的策略性對(duì)外研究業(yè)務(wù)。張博士因研究“CMOS技術(shù)的替代柵極和淺溝槽隔離”貢獻(xiàn)卓著，其研究對(duì)集成電路（IC）制造的進(jìn)展深具影響。IEEE院士評(píng)等是IEEE董事會(huì)依會(huì)員個(gè)人在IEEE各個(gè)工程領(lǐng)域的杰出記錄予以頒贈(zèng)。IEEE院士是最高的會(huì)員資格，被科技界視為一項(xiàng)崇高殊榮，也是重要的事業(yè)成就。每年所評(píng)選出的院士總數(shù)不能超過總投票成員的千分之一。

應(yīng)用材料公司資深副總裁暨技術(shù)長(zhǎng)奧姆．納拉馬蘇（Om Nalamasu）博士表示：“張博士卓越的研究協(xié)助業(yè)界于CMOS微縮技術(shù)實(shí)行新方法，對(duì)我們每天所使用的電子產(chǎn)品在效能、功能及尺寸上，貢獻(xiàn)良多。張博士獲此殊榮乃實(shí)至名歸，同時(shí)感謝他帶領(lǐng)應(yīng)用材料公司與大學(xué)及聯(lián)盟各種協(xié)同合作的努力。”


專家簡(jiǎn)介


張博士擁有的杰出技術(shù)貢獻(xiàn)，以及豐富的半導(dǎo)體業(yè)界服務(wù)橫跨近30年。在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作期間，他所帶領(lǐng)的先驅(qū)性研究，協(xié)助業(yè)界中通過CMOS技術(shù)史上最顯著的晶體管之一，及至今日，幾乎所有的CMOS邏輯組件，包括鰭式晶體管（FinFET），皆采用替代柵極技術(shù)。此外，張博士在早期的研究職涯對(duì)沉積、蝕刻與先進(jìn)電漿處理技術(shù)也貢獻(xiàn)良多。

張博士在另一重要領(lǐng)域即先進(jìn)淺溝槽隔離（STI）也有顯著貢獻(xiàn)。他早期的一項(xiàng)詳盡研究顯示，改變溝槽頂部角的形狀，有助于解決缺陷密度、漏電流和組件的臨界電壓控制等的嚴(yán)重問題。該項(xiàng)研究對(duì)STI在主流CMOS制造的穩(wěn)健性和世代可延續(xù)性具有長(zhǎng)期影響，在某種程度上，甚至也影響近年所問世的重大CMOS制程技術(shù)，多也引用張博士及其團(tuán)隊(duì)所開發(fā)的STI頂角工程技術(shù)。


聯(lián)系專家


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