Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）7月9日宣布推出在市場(chǎng)上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3采用含SuperTan技術(shù)的獨(dú)特封裝設(shè)計(jì)，可在高能應(yīng)用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3專門針對(duì)高可靠性航空電子及軍用設(shè)備中的能量存儲(chǔ)及脈沖功率應(yīng)用而進(jìn)行了優(yōu)化，該器件采用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環(huán)境中使用。

該設(shè)計(jì)采用可提高可靠性及性能的獨(dú)特雙密封技術(shù)，并且具有3300μF～72000μF的電容范圍，在所有液體鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容。通過(guò)利用Vishay業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的SuperTan混合陰極技術(shù)以及業(yè)界領(lǐng)先的正極設(shè)計(jì)，HE3代表了液體鉭電容器技術(shù)的重大突破。在+25°C、1kHz時(shí)，其ESR值為超低的0.035歐。

該新型電容器的工作溫度范圍介于–55°C～+85°C。在120Hz、+25°C時(shí)，其標(biāo)準(zhǔn)電容容差為±20%，此外還可提供±10%的容差。樣品及量產(chǎn)批量將于2007年6月提供，大宗訂單的供貨周期為8～10周。銷售聯(lián)絡(luò)，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/sales；更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com/company/press/releases/2007/070709he3/。