【產(chǎn)通社，2月10日訊】富士電機（中國）有限公司（Fuji Electric China）官網(wǎng)消息，其即將發(fā)售High-Speed W系列功率半導體——高速分立器件IGBT。


產(chǎn)品特點


近年來，隨著全球能源需求的增長，市場對這些工業(yè)或通訊器材的節(jié)能需求也日益提高，同時還極力追求機器本身的小型化、節(jié)約占地面積。此次發(fā)售的高速分立器件IGBT產(chǎn)品便吻合了上述市場需求。

High-Speed W系列主要特點包括：
（1）降低電耗、促進節(jié)能。功率半導體通過反復不停的開關（電氣的開/關切換）操作將直流轉換成交流，并進行電壓控制等。本次發(fā)售的新產(chǎn)品由于做到了IGBT芯片的薄型化和微細化，較以往產(chǎn)品（High-Speed V系列）相比，開關動作時的電耗（關斷損耗）減少了大約40%，從而實現(xiàn)了機器設備的節(jié)能和電力成本下降。
（2）實現(xiàn)機器小型化。通過降低開關動作時的損耗（控制發(fā)熱量），較以往產(chǎn)品（20kHz左右）相比可以對應更高的開關頻率（20-100kHz）。由此實現(xiàn)了機器設備外圍部件（線圈、變壓器）的小型化、機器設備本身的小型化和整體成本的降低。


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.fujielectric.com.cn。    （完）