【產(chǎn)通社，2月10日訊】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所（Shanghai Institute of Ceramics of the Chinese Academy of Sciences，SICCAS）官網(wǎng)消息，葛增偉帶領(lǐng)的課題組發(fā)明的中國(guó)專利“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”（中國(guó)專利號(hào)：ZL200910048849.5），經(jīng)多輪評(píng)審，獲得第十七屆中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)。 

該項(xiàng)專利技術(shù)利用晶體生長(zhǎng)過(guò)程生長(zhǎng)基元從無(wú)序變?yōu)橛行蜻M(jìn)而提高純度的原理，首創(chuàng)兩次生長(zhǎng)制備方法，獲得了U、Th等雜質(zhì)含量達(dá)到10-14g/g的高純二氧化碲單晶，推動(dòng)了中微子探測(cè)項(xiàng)目的發(fā)展。同時(shí)，該二氧化碲單晶優(yōu)越的聲光性能和寬波段透過(guò)性能，滿足了探月工程的紅外成像要求，使該晶體在國(guó)際上首次成功應(yīng)用于月球探測(cè)。 

該項(xiàng)中國(guó)專利通過(guò)國(guó)際PCT申請(qǐng)途徑，先后申請(qǐng)美國(guó)、歐洲專利，并取得專利授權(quán)（歐洲專利號(hào)：EP2415912，美國(guó)專利號(hào)：US8480996）。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.sic.cas.cn。    （完）