【產(chǎn)通社，5月4日訊】華燦光電股份有限公司（HC SemiTek Corporation；股票代碼：300323）2015年年度報告顯示，其報告期內(nèi)研發(fā)項目總支出10,497.44萬元，其中研究階段支出為6,245.41萬元，占營業(yè)收入6.54%，開發(fā)階段支出為4,252萬元，占營業(yè)收入4.45%。

截至報告期，公司擁有已授權(quán)專利62項，其中實用新型專利24項，發(fā)明專利37項，外觀設(shè)計1項。另有54項專利申請正在審核過程中。公司已獲授權(quán)的專利具體情況（序號、專利名稱、專利號、類型、專利申請日、授權(quán)公告日、保護期）如下：
1 一種在藍寶石襯底材料上外延生長AlXGa1-XN單晶薄膜的方法 ZL200610019545.2 發(fā)明 2006-7-5 2009-10-14 20年
2 一種避免或減少藍綠光發(fā)光二極管材料的V-型缺陷的方法 ZL200610019720.8 發(fā)明 2006-7-26 2008-7-16 20年
3 增加內(nèi)量子效率的半導(dǎo)體發(fā)光二極管的量子阱結(jié)構(gòu) ZL200610124789.7 發(fā)明 2006-10-18 2009-5-6 20年
4 一種氮化鎵基Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體器件的電極 ZL200610166563.3 發(fā)明 2006-12-30 2008-7-16 20年
5 倒裝焊發(fā)光二極管芯片的制造方法 ZL200710053027.7 發(fā)明 2007-8-24 2010-2-17 20年
6 氮化鎵基發(fā)光二極管芯片 ZL200810047953.8 發(fā)明 2008-6-10 2011-1-26  20年
7 倒裝焊發(fā)光二極管硅基板及其制造方法 ZL200810048739.4 發(fā)明 2008-8-8 2010-2-17 20年
8 具有光子晶體側(cè)向光提取器的發(fā)光二極管芯片 ZL200810236734.4 發(fā)明 2008-12-9 2010-10-13 20年
9 在圖形化藍寶石襯底上生長氮化鎵薄膜的方法 ZL200810236950.9 發(fā)明 2008-12-22 2010-6-2 20年
10 帶熱沉的LED芯片及其制造方法 ZL200910062024.9 發(fā)明 2009-5-8 2011-4-14 20年
11 一種提高氮化鎵基發(fā)光二極管抗靜電能力的方法 ZL200910062768.0 發(fā)明 2009-6-22 2012-5-30 20年
12 垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法 ZL200910272579.6 發(fā)明 2009-10-30 2012-1-25 20年
13 高效抗靜電氮化鎵基發(fā)光器件及其制作方法  ZL201010181048.9 發(fā)明 2010-5-19 2012-10-3 20年
14 一種濕法腐蝕與干法刻蝕向結(jié)合圖形化藍寶石的方法  ZL201110078480.X 發(fā)明 2011-3-30 2012-11-7 20年
15 一種氮化鎵基發(fā)光二極管多量子阱的生長方法  ZL201110258692.6 發(fā)明 2011-9-2 2013-3-27 20年
16 一種彎曲襯底側(cè)面的發(fā)光二極管芯片及其制備方法  ZL201110199127.7 發(fā)明 2011-7-15 2013-3-6 20年
17 一種通過濕法剝離GAN基外延層和藍寶石襯底來制備垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二級管的方法  ZL201110217923.9 發(fā)明 2011-8-1 2013-9-4 20年
18 一種提高發(fā)光二極管外量子效率方法 ZL200910061316.0 發(fā)明 2009-3-27 2013-7-31 20年
19 倒裝焊芯片  ZL200620099111.3 實用新型 2006-9-22 2007-12-12 20年
20 一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機承載被刻蝕外延片的樣品臺  ZL201120414928.6 實用新型 2011-10-27 2012-8-1 20年
21 一種基于紅綠光LED芯片的交通信號燈  ZL201120414930.3 實用新型 2011-10-27 2012-6-6 20年
22 側(cè)光式背光模組   ZL201120414941.1 實用新型 2011-10-27 2012-6-6 20年
23 一種透明導(dǎo)電層和發(fā)光二極管    ZL201220338044.1 實用新型 2012-7-12 2013-2-13  20年
24 一種高壓發(fā)光二極管芯片   ZL201220399415.7 實用新型 2012-8-13 2013-2-13 20年
25 一種發(fā)光二極管芯片   ZL201220476129.6 實用新型 2012-9-17 2013-3-27 20年
26 一種半導(dǎo)體探測器   ZL201220690685.3 實用新型 2012-12-12 2013-8-28 20年
27 氮化鎵基發(fā)光二極管   ZL201320447686.X 實用新型 2013-7-25 2013-12-25 20年
28 一種GAN基探測器   ZL201320276416.7 實用新型 2013-5-20 2013-11-13 20年
29 一種提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的方法   ZL201110258718.7 發(fā)明 2011-9-5 2014-4-30 20年
30 一種回收圖形化藍寶石襯底的方法   ZL201210056756.9 發(fā)明 2012-3-7 2014-7-9 20年
31 漸變電子阻擋層的紫外光氮化鎵半導(dǎo)體發(fā)光二極管   ZL201210122392.X 發(fā)明 2012-4-25 2014-5-7 20年
32 LED芯片的制造方法   ZL201210093271.7 發(fā)明 2012-4-1 2014-12-24 20年
33 一種倒三角形發(fā)光二極管芯片的制作方法   ZL201210208670.3 發(fā)明 2012-6-21 2014-12-10 20年
34 一種正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管外延片   ZL201320324998.1 實用新型 2013-6-6 2014-3-26 20年
35 一種發(fā)光二極管芯片   ZL201320613260.7 實用新型 2013-9-29 2014-3-26 20年
36 適用于LED測試機的輔助吹氣裝置   ZL201320569531.3 實用新型 2013-9-13 2014-3-5  20年
37 一種圖形化的藍寶石襯底   ZL201320703572.7 實用新型 2013-11-8 2014-5-7 20年
38 半導(dǎo)體發(fā)光器件   ZL201320746056.2 實用新型 2013-11-21 2014-5-7 20年
39 一種具有全方位反射鏡的發(fā)光二極管   ZL201420022213.X 實用新型 2014-1-15 2014-7-16  20年
40 一種白光發(fā)光二極管LED及其LED芯片   ZL201420273414.7 實用新型 2014-5-26 2014-12-10  20年
41 一種白光發(fā)光二極管LED及其LED芯片   ZL201420273088.X 實用新型 2014-5-26 2014-10-29  20年
42 一種發(fā)光二極管芯片   ZL201420403829.1 實用新型 2014-7-22 2014-12-31  20年
43 半導(dǎo)體發(fā)光二級管及其制造方法   ZL201210056382.0 發(fā)明 2012-3-6 2015-6-24  20年
44 一種提高載流子復(fù)合效率的多量子阱中的壘的結(jié)構(gòu)   ZL201210122393.4 發(fā)明 2012-4-25 2015-7-8  20年
45 一種GAN基LED量子阱有源區(qū)的外延生長方法   ZL201210189941.5 發(fā)明 2012-6-11 2015-4-1  20年
46 一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法   ZL201210224723.0 發(fā)明 2012-7-2 2015-5-20  20年
47 一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法   ZL201210240976.7 發(fā)明 2012-7-12 2015-9-23  20年
48 一種晶圓的裂片裝置和方法   ZL201210273144.5 發(fā)明 2012-8-2 2015-4-22  20年
49 一種發(fā)光二極管的芯片及該芯片的制備方法   ZL201210563894.6 發(fā)明 2012-12-21 2015-12-9  20年
50 一種提高GaN基LED發(fā)光效率的外延方法   ZL201210299221.4 發(fā)明 2012-8-22 2015-2-11  20年
51 一種發(fā)光二極管芯片的外延層生長方法   ZL201210312441.6 發(fā)明 2012-8-29 2015-12-9  20年
52 一種發(fā)光二極管的外延片以及發(fā)光二極管   ZL201210384250.0 發(fā)明 2012-10-10 2015-9-30  20年
53 一種藍綠光二極管外延片及其制造方法   ZL201210394267.4 發(fā)明 2012-10-17 2015-4-22  20年
54 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME US9087933 PCT 2012-7-27 2015-7-21 20年
55 一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法   ZL201210544495.5 發(fā)明 2012-12-13 2015-4-1  20年
56 一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法   ZL201210546009.3 發(fā)明 2012-12-14 2015-12-9  20年
57 一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法   ZL201310040746.0 發(fā)明 2013-2-1 2015-10-28  20年
58 一種發(fā)光二極管芯片   ZL201420430020.8 實用新型 2014-7-31 2015-1-21  20年
59 一種高壓發(fā)光二極管芯片   ZL201420842450.0 實用新型 2014-12-25 2015-5-6  20年
60 一種發(fā)光二極管外延片   ZL201520046892.9 實用新型 2015-1-23 2015-12-30  20年
61 一種合金爐   ZL201520064562.2 實用新型 2015-1-30 2015-7-8  20年
62 發(fā)光二極管芯片  ZL201530148119.9 外觀設(shè)計 2015-5-18 2015-11-11  20年

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