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恩智浦半導(dǎo)體MRF1K50H射頻功率晶體管具出色耐用性和熱性能
2016/5/12 20:56:03     

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【產(chǎn)通社,5月12日訊】恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors;Nasdaq股票代碼: NXPI)官網(wǎng)消息,其日前推出的MRF1K50H射頻晶體管,與采用任何技術(shù)或在任何頻率下的產(chǎn)品相比,都具有最強(qiáng)大的性能。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50kW CW功率,能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數(shù)量,從而減小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500MHz頻率下工作,適用于廣泛的應(yīng)用,從激光和等離子體源到粒子加速器、工業(yè)焊接機(jī)、無線電和VHF TV廣播發(fā)射機(jī)、業(yè)余無線電線性放大器。

恩智浦的射頻功率工業(yè)技術(shù)高級(jí)總監(jiān)Pierre Piel表示:“當(dāng)移植到現(xiàn)有PCB時(shí),這款新型晶體管可為射頻設(shè)計(jì)者提供市場(chǎng)上最高的輸出功率和能量吸收。對(duì)于需要在最惡劣環(huán)境下工作的工業(yè)系統(tǒng),MRF1K50H能夠提高其可靠性。”


產(chǎn)品特點(diǎn)


與所有耐用型LDMOS晶體管相同,MRF1K50H也能在VSWR為65:1的條件下正常工作,但與前一代產(chǎn)品1.25kW MRFE6VP61K25H相比,它能夠吸收的能量增加了50%。這種級(jí)別的耐用性提高了產(chǎn)品可靠性,使得晶體管成為用真空管的理想替代品。

MRF1K50H采用了標(biāo)準(zhǔn)氣腔陶瓷封裝,其阻抗與當(dāng)前市場(chǎng)上現(xiàn)有的高功率晶體管兼容:只需進(jìn)行微小的重新調(diào)節(jié),便可移植到現(xiàn)有系統(tǒng),且無需重新設(shè)計(jì)印刷電路板(PCB)。

使用超模壓塑料版本的晶體管MRF1K50N,甚至能夠?qū)崿F(xiàn)更高的可靠性,與MRF1K50H相比,該版本產(chǎn)品還減少了30%的熱阻。恩智浦的塑料封裝技術(shù)有助于提升射頻晶體管的性能,同時(shí)簡(jiǎn)化放大器制造,這要?dú)w功于更小的尺寸容差和更好的焊盤連接。

兩個(gè)版本的規(guī)范都包括80%的效率(在100MHz的頻率下)、23.5dB的增益、和135V的最小擊穿電壓。投入生產(chǎn)之后,晶體管將成為恩智浦產(chǎn)品持續(xù)供應(yīng)計(jì)劃的一部分,確保至少15年的持續(xù)供應(yīng)。


供貨與報(bào)價(jià)


MRF1K50H和MRF1K50N目前抽樣,預(yù)計(jì)將于2016年7月投入生產(chǎn)。各種頻率的參考電路可供選擇。查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nxp.com/productlongevity。    (完)
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