【產(chǎn)通社，8月27日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其“千人計(jì)劃”學(xué)者韋亞一研究員的專著《超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用》于近期在科學(xué)出版社出版，并通過了業(yè)內(nèi)專家委員會(huì)的評(píng)審，獲得了中國科學(xué)院科學(xué)出版基金的資助。 

光刻技術(shù)是所有微納器件制造的核心技術(shù)，推動(dòng)著器件制造技術(shù)的快速進(jìn)步。目前，國內(nèi)在先進(jìn)光刻技術(shù)領(lǐng)域的著作較少，尤其是融合主流光刻工藝和計(jì)算光刻等內(nèi)容的科學(xué)專著鮮有問世。當(dāng)前國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)和制造蓬勃發(fā)展，集成電路技術(shù)研發(fā)進(jìn)入重要戰(zhàn)略機(jī)遇期，對(duì)集成電路設(shè)計(jì)和制造等專門人才的需求越來越多。該專著的出版對(duì)從事集成電路制造、工藝整合、光刻研發(fā)、計(jì)算光刻軟件、集成電路教學(xué)和科研等從業(yè)人員具有較高的指導(dǎo)價(jià)值。 

該書覆蓋了現(xiàn)代光刻技術(shù)的重要方面，包括設(shè)備、材料、仿真（計(jì)算光刻）和工藝。本書的設(shè)備部分對(duì)業(yè)界使用的主流設(shè)備進(jìn)行了剖析，介紹了其原理結(jié)構(gòu)、使用方法和工藝參數(shù)設(shè)置；材料部分介紹了包括光刻膠、抗反射涂層、抗水涂層和使用旋涂工藝的硬掩膜等材料的分子結(jié)構(gòu)、使用方法以及必須達(dá)到的性能參數(shù)；仿真與計(jì)算光刻部分系統(tǒng)介紹了基于經(jīng)驗(yàn)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正、基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正、亞曝光分辨率的輔助圖形、光源—掩模協(xié)同優(yōu)化和反演光刻技術(shù)。如何控制套刻誤差是光刻技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的技術(shù)難點(diǎn)，本書設(shè)置了一章專門討論曝光對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和控制套刻誤差的方法。此外，書中還特別介紹了32nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)光刻工藝研究的新方法論、光刻工程師的職責(zé)以及如何協(xié)調(diào)各方資源保證研發(fā)進(jìn)度等。 

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