【產(chǎn)通社，11月28日訊】上海華力微電子有限公司（Shanghai Huali Microelectronics Corporation）官網(wǎng)消息，其與全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——上海華虹宏力半導體制造有限公司11月8日在上海浦東召開了技術(shù)研討會，并簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，簽約四方分別為：國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、華芯投資管理有限責任公司、國開銀行上海分行與上海華虹（集團）有限公司，四方就華力二期12吋生產(chǎn)線建設(shè)項目達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

會上，兩家公司發(fā)表了先進工藝和特色工藝的最新研發(fā)成果、IP解決方案，以及公司未來發(fā)展戰(zhàn)略和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。其中，復旦大學微電子學院副院長張衛(wèi)教授、SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生、兆易創(chuàng)新董事長兼首席執(zhí)行官朱一明先生作為特邀演講嘉賓出席此次技術(shù)研討會，和與會嘉賓分享了他們對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢的獨到見解。

華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士發(fā)表了題為“華虹宏力特色工藝平臺及技術(shù)發(fā)展規(guī)劃”的主題演講，向客戶介紹了公司業(yè)務(wù)發(fā)展現(xiàn)狀，并描繪了公司技術(shù)藍圖。他表示，華虹宏力堅持立足于差異化工藝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，在嵌入式非易失性存儲器技術(shù)、功率器件以及電源管理技術(shù)等領(lǐng)域位居世界領(lǐng)先地位。華虹宏力90nm eFlash/eEEPROM技術(shù)已實現(xiàn)風險量產(chǎn)，超級結(jié)MOSFET（SJNFET）工藝平臺的出貨量與日俱增，累計超過160,000片晶圓，并正在加速研發(fā)超高壓IGBT技術(shù)，以用于高端工業(yè)及能源應(yīng)用。華虹宏力目前月產(chǎn)能總計達15.3萬片，持續(xù)進行的產(chǎn)能擴充已顯現(xiàn)成效，預期將在可預見市場獲得更多的發(fā)展機遇。

華力微電子副總裁舒奇先生以“科創(chuàng)浪潮下的晶圓代工企業(yè)發(fā)展之路”為題發(fā)表了主題演講，闡述了時下中國工業(yè)升級改造進程會給未來半導體產(chǎn)業(yè)帶來的機遇與挑戰(zhàn)，并向與會嘉賓介紹了公司業(yè)務(wù)發(fā)展現(xiàn)況以及技術(shù)研發(fā)規(guī)劃。他指出，經(jīng)過6年的潛心琢磨，華力微電子已有能力提供從55nm到40nm，直至時下主流的28nm工藝的完整工藝布局，高壓、射頻、嵌入式閃存和超低功耗等特色工藝技術(shù)也日趨完備，公司產(chǎn)能調(diào)配目前處滿載狀態(tài)之中，二廠也將在2016年底開工建設(shè)。

此外，來自華力微電子研發(fā)部和工程部的專家——彭樹根總監(jiān)、邵華總監(jiān)和魏崢穎部長，聚焦科技創(chuàng)新，分別在會上發(fā)表了各類專題演講，包括先進工藝——40nm和28nm邏輯工藝、差異化特色工藝——55nm嵌入式閃存工藝，以及55nm高壓和55nm超低功耗工藝的最新研發(fā)成果和其他增值服務(wù)。華力微電子將持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品和服務(wù)，攜手客戶共創(chuàng)雙贏。

本次技術(shù)研討會還特邀了7家合作伙伴在現(xiàn)場展示他們的產(chǎn)品和服務(wù)，包括IP模塊、IC設(shè)計服務(wù)、EDA工具等，提供客戶一站式服務(wù)體系，共建產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.hlmc.cn。    （完）